搜索结果: 1-15 共查到“半导体技术 专利”相关记录320条 . 查询时间(0.4 秒)
杭州电子科技大学微电子研究院科研成果专利（2020年-2023年）
杭州电科大 微电子研院 科研成果 专利
2024/2/4
杭州电子科技大学微电子研究院科研成果专利（2020年-2023年）。
本发明的目的在于提供一种细胞受力行为研究微流控芯片系统，特别是一种针对间充质干细胞受力行为研究微流控芯片系统，其特征在于：该微流控芯片系统将干细胞的接种、长期培养、干细胞受力学刺激及分析检测过程集成在一块功能芯片上完成；该系统由两个基本单元构成：第一个基本单元为细胞受力行为研究微流控芯片，第二个基本单元为细胞受力行为研究微流控芯片外围设备。
本发明提供了一种基于微流控芯片的核酸阵列分析平台及分析方法，该平台由两部分组成，上部分为反应-电泳芯片，下部分为温控芯片，两部分通过导热胶粘接在一起；所述的微流控芯片平台的核酸阵列分析方法为预先在分离检测通道中填充分离胶，反应液添加入反应池中，其它各池添加分离缓冲液或分离胶，所有池加入矿物油覆盖以防止溶液挥发；反应结束后，直接进行产物的芯片阵列电泳检测；本发明可以同时对多个样品进行平行分析；可进行...
一种高通量微液滴固定方法，基于浮力和表面张力原理，在微流控芯片上进行操控，所述微液滴固定方法具体是：将连续相和分散相利用注射泵分别注入芯片，既而在T型微液滴生成区形成连续的单分散性微液滴；在注射泵驱动下微液滴继续流动并进入液滴捕获器阵列，液滴在流经捕获器下方通道时由于浮力和表面张力的共同作用向上进入圆柱体捕获器；后续液滴从已经成功固定液滴的液滴捕获器的下方通道流过，继而被顺序地捕获于后续的液滴捕获...
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种微流控芯片及其应用
中国科学院大连化学物理研究所 专利 微流控芯片
2024/1/25
一种微流控芯片及其应用，该微流控芯片由6个细胞共培养单元和与之相连的1条培养液通道组成；每个共培养单元包括两个细胞培养池A和B，培养池A位于培养池B和培养液通道之间，并且其高度低于培养池B和培养液通道；该微流控芯片用于研究细胞在三维介质中相互作用的方法，为异种细胞生长及相互作用提供三维空间支持；本发明具有操作简单、快速和样品用量少等特点。
本发明提供了一种三维纸质微流控芯片及其制作方法，该三维纸质微流控芯片由二维纸质微流控芯片叠合装订而成；其制作方法是用绘图软件设计所需要的芯片图案，然后用打印机将蜡打印到纸材料表面，将打印好的纸材料放入高温容器中烘烤，然后取出冷却，得到二维纸质微流控芯片，然后将二维纸质微流控芯片按照设计好的方式叠合，再用装订设备将叠合好的二维纸质微流控芯片装订在一起，即得到三维纸质微流控芯片。本发明制作方法操作简单...
本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模...
本发明涉及一种基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法，该方法包括筛选p‑i‑n结构的探头，探测器参数调整及确认，在不同放射源下获取探测器响应并标定；根据不同放射源对探头材料的非电离能损NIEL，将探测器响应与不同放射源注量或剂量的关系统一成探测器响应与位移损伤剂量的关系；根据实际探测结果确定损伤增强因子。该方法优势在于其探测的物理量是位移损伤剂量，...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 辐照后 互补金属氧化物 半导体 光子转移曲线 转换增益
2024/1/5
本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体样品、直流电源和计算机组成，通过调整积分球光源的辐照度和测试软件的积分时间，使两者的乘积为互补金属氧化物半导体的饱和输出，并计算辐照后暗场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。在亮场条件下，计算辐照后亮场的平均灰度值和相应的灰度值的时...
近日，2023年粤港澳大湾区高价值专利培育布局大赛（以下简称“湾高赛”）在广州成功举办。华南理工大学微电子学院院长薛泉教授团队的“宽带高效率5G毫米波相控阵前端系统”喜获金奖，副院长李斌教授团队的“卫星通信与北斗全球导航射频芯片核心技术研究及应用”喜获银奖，为学院首次获得“湾高赛”奖项。
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种半导体氧化物原位负载贵金属团簇的制备方法
本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境；其次，设计变温室中的样品架及样品夹具板，实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递，设计待测样品的偏置及测试数据传递通路，...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种压电感应式电子称重的测量电路及其装置
中国科学院深圳先进技术研究院专利：制备微米级分散体的集成芯片及其装置