搜索结果: 1-8 共查到“半导体技术 中国科学院新疆理化技术研究所”相关记录8条 . 查询时间(0.378 秒)
本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模...
本发明涉及一种基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法，该方法包括筛选p‑i‑n结构的探头，探测器参数调整及确认，在不同放射源下获取探测器响应并标定；根据不同放射源对探头材料的非电离能损NIEL，将探测器响应与不同放射源注量或剂量的关系统一成探测器响应与位移损伤剂量的关系；根据实际探测结果确定损伤增强因子。该方法优势在于其探测的物理量是位移损伤剂量，...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 辐照后 互补金属氧化物 半导体 光子转移曲线 转换增益
2024/1/5
本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体样品、直流电源和计算机组成，通过调整积分球光源的辐照度和测试软件的积分时间，使两者的乘积为互补金属氧化物半导体的饱和输出，并计算辐照后暗场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。在亮场条件下，计算辐照后亮场的平均灰度值和相应的灰度值的时...
本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境；其次，设计变温室中的样品架及样品夹具板，实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递，设计待测样品的偏置及测试数据传递通路，...
本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法，主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量，辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射后与辐射前阈值电压的差值，并依据此方法获得不同辐射剂量下阈值电压的差值，最终计算得到待测晶体管阈值电压的差值随辐射剂量累积的变化曲线。本发明对浮栅器件进行多次编程和擦除，从而大幅提...
本发明提供了一种LDO芯片的辐照测试系统及方法，主要解决通过现有技术测试出的芯片与其实际情况存在较大差异，无法完整、全面的反映芯片真实的抗辐射能力的技术问题。本发明的测试系统包括电源、测试模块、辐照模块及辐射场，其中，电源模块和测试模块位于辐射场外，辐照模块位于辐射场内，可对芯片在辐照过程中的状态进行实时监测，进而获取过程数据；同时，辐照模块可放置N个待测芯片，且各待测芯片相互独立，由此可对待测芯...
本发明提供一种数字集成电路辐射效应原位测试系统及测试方法，用于解决现有的辐射效应原位测试系统无法实现对数字集成电路的性能和功能进行全面测试的技术问题。测试系统包括驱动单元、采集单元及分析单元；采集单元包括SMU测试模块和至少一个数字向量测试模块，SMU测试模块用于为待测数字集成电路供电并采集待测数字集成电路的功耗电流；数字向量测试模块用于为待测数字集成电路输入电信号激励，并采集待测数字集成电路输出...
中国科学院新疆理化技术研究所李豫东副研究员
中国科学院新疆理化技术研究所 李豫东 副研究员 半导体器件
2013/6/13
李豫东，男，汉族，1982年生于新疆伊犁，工学博士，中国科学院新疆理化技术研究所副研究员。2004年7月毕业于吉林大学，电气工程及其自动化专业，获工学学士学位，2009年6月于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，光学工程专业，获工学博士学位，2009年7月到中国科学院新疆理化技术研究所参加工作。