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中国科学院微电子研究所专利：降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法
中国科学院微电子研究所 专利 电子束光刻 光刻胶 粗糙度
2023/7/6
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中国科学院微电子研究所专利：FinFET鳍状结构的制造方法
中国科学院微电子研究所专利：一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅
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中国科学院半导体材料科学重点实验室科研成果2023上半年授权专利。
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