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1-1
共查到
“
半导体技术 剂量探测
”
相关记录1条 . 查询时间(0.312 秒)
中国科学院新疆理化技术研究所专利:基于p‑i‑n结构的位移损伤
剂量探测
方法
中国科学院新疆理化技术研究所
专利
p‑
i‑
n结构
位移损伤
剂量探测
2024/1/8
本发明涉及一种基于p‑i‑n结构的位移损伤
剂量探测
方法,该方法包括筛选p‑i‑n结构的探头,
探测
器参数调整及确认,在不同放射源下获取
探测
器响应并标定;根据不同放射源对探头材料的非电离能损NIEL,将
探测
器响应与不同放射源注量或
剂量
的关系统一成
探测
器响应与位移损伤
剂量
的关系;根据实际
探测
结果确定损伤增强因子。该方法优势在于其
探测
的物理量是位移损伤
剂量
,...
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