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中国科学院大连化学物理研究所专利：一种半导体氧化物原位负载贵金属团簇的制备方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
2023年11月21日下午，浙江省人民政府对第一届浙江省知识产权奖获奖单位进行了表彰，专利“一种低损耗纳米晶软磁合金的制备方法”（专利号：ZL201811235042.8，发明人：贺爱娜、董亚强、黎嘉威、肖恢芸、李润伟）荣获发明专利一等奖，是宁波市唯一获得该类奖项的专利。该成果由中国科学院宁波材料技术与工程研究所牵头开展创新研究，在宁波磁性材料应用技术创新中心有限公司、宁波中科毕普拉斯新材料科技有...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：P型铜铁矿基氧化物臭氧气敏半导体材料及其制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：P型掺杂CUCRO2基稀磁半导体材料及其制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法
中国科学院金属研究所 专利 半导体性 单壁 碳纳米管
2023/9/26
本发明涉及单壁碳纳米管领域,具体为一种化学气相沉积原位弱氧化与后处理氧化相结合大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法。在化学气相沉积生长单壁碳纳米管过程中引入微量的氧气,再将制备得到的单壁碳纳米管在适当温度下于空气中氧化。以二茂铁为催化剂前驱体、氢气为载气、硫粉为生长促进剂、在一定温度下同时通入碳源气体和微量氧气进行单壁碳纳米管的生长和原位弱氧化。将所得单壁碳纳米管样品在空气气氛和较低温度下长时间氧化...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：绝缘层用组合物及在硅晶圆的硅通孔上制备绝缘层的方法
本发明涉及一种层状结构半导体材料光催化剂及其产氢应用。其特征在于：该半导体材料是由一种IIA族金属元素，一种IB族金属元素，一种VIB族或VIIB族或VIII族或IIB族或IIIA族金属元素，另外加一种或两种VIA族非金属元素共同组成。以该半导体材料为光催化剂，不担载或将少量过渡金属、贵金属原位光沉积担载于催化剂表面作为助催化剂进行可见光下的产氢反应。该半导体材料可与已知n型半导体复合构筑p-n异...
中国科学院金属研究所专利：一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 铜铟镓硒 四元半导体合金
2023/8/22
中国科学院金属研究所专利：一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法
中国科学院微电子研究所专利：一种SiC肖特基二极管及其制作方法
中国科学院微电子研究所专利：一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研成果2022年授权发明专利。
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种测量单根半导体纳米线材料热导率的方法
中国科学院化学研究所专利：对有机胺类气体具有超灵敏荧光响应的一维有机半导体螺旋纳米线制备方法和应用
中国科学院化学研究所 专利 有机胺类气体 超灵敏 荧光响应 一维有机半导体 螺旋纳米线
2023/5/17
中国科学院化学研究所专利：对有机胺类气体具有超灵敏荧光响应的一维有机半导体螺旋纳米线制备方法和应用