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中国科学院大连化学物理研究所专利：一种通用型微流控芯片接口
中国科学院大连化学物理研究所 专利 通用型 微流控芯片 接口
2023/11/15
一种通用型微流控芯片接口，由芯片支架A、芯片、芯片支架A与B固定螺丝、芯片支架B、芯片与接口密封圈、密封接口旋紧螺母、密封接口旋紧螺丝、输液管压紧螺丝、输液管；本发明的特点是：芯片支架A上开一长孔，密封接口旋紧螺丝可以在长孔中自由移动，在对准芯片上的输液口后，将输液管插入芯片输液孔中，旋紧密封接口旋紧螺母和输液管压紧螺丝，密封性能好，操作方便；输液管用输液管压紧螺丝压紧，压紧螺丝用标准3/16”N...
一种微流控芯片上的微液滴内部物质交换方法，该方法为：首先在芯片中灌满油相，然后将分散相1持续注入灌满连续相的芯片中，分散相1进入主通道及捕获区域；注入连续相，取代主通道中的分散相1，圆柱形捕获器中的分散相1不会被冲出，由此形成了分散相1在连续相中的液滴捕获阵列；将分散相2和连续相注入芯片中，在T型微液滴生成区形成连续的单分散性微液滴；当分散相2的液滴流经分散相1液滴捕获器时，两种不同成分的液滴发生...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：对硅通孔进行动态规划布线的方法
中国科学院金属研究所专利：一种大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法
中国科学院金属研究所 专利 半导体性 单壁 碳纳米管
2023/9/26
本发明涉及单壁碳纳米管领域,具体为一种化学气相沉积原位弱氧化与后处理氧化相结合大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法。在化学气相沉积生长单壁碳纳米管过程中引入微量的氧气,再将制备得到的单壁碳纳米管在适当温度下于空气中氧化。以二茂铁为催化剂前驱体、氢气为载气、硫粉为生长促进剂、在一定温度下同时通入碳源气体和微量氧气进行单壁碳纳米管的生长和原位弱氧化。将所得单壁碳纳米管样品在空气气氛和较低温度下长时间氧化...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：绝缘层用组合物及在硅晶圆的硅通孔上制备绝缘层的方法
本发明涉及一种层状结构半导体材料光催化剂及其产氢应用。其特征在于：该半导体材料是由一种IIA族金属元素，一种IB族金属元素，一种VIB族或VIIB族或VIII族或IIB族或IIIA族金属元素，另外加一种或两种VIA族非金属元素共同组成。以该半导体材料为光催化剂，不担载或将少量过渡金属、贵金属原位光沉积担载于催化剂表面作为助催化剂进行可见光下的产氢反应。该半导体材料可与已知n型半导体复合构筑p-n异...
本发明提供了一种光合系统II和半导体杂化体系光催化分解水制氢气的方法，结合自然界光合系统II高效光催化分解水产氧气以及担载金属助催化剂的半导体材料光催化分解水产氢气的性质，实现了利用可见光全分解水产氢气和氧气。本发明的杂化体系中光合系统II与半导体材料之间的电子传递由铁络合物、钴络合物、2,6-二氯酚靛酚或者醌类化合物的还原和氧化循环过程来实现，在可见光条件下，1μmol光合系统II-半导体杂化体...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：覆铜板的蚀刻设备及覆铜板的蚀刻系统
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种半导体芯片封装结构
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种集成化电力电子功率变换控制系统的系统级封装方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种印刷电路板以及具有健康监测作用的登山护目镜
本发明涉及高质量半导体性单壁碳纳米管的制备领域,具体为一种氢气原位弱刻蚀直接生长高质量半导体性单壁碳纳米管的方法。以二茂铁等为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、有机低碳烃为碳源的条件下,通过调节优化载气氢气的流量,在一定反应温度下可原位刻蚀掉金属性和小直径单壁碳纳米管,最终获得高质量、半导体性占优的单壁碳纳米管,其中半导体性单壁碳纳米管的含量≥91wt%,直径分布在1.5-2.5nm之间,集中氧化温...
中国科学院金属研究所专利：一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 铜铟镓硒 四元半导体合金
2023/8/22
中国科学院金属研究所专利：一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法