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本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模...
近日，浙江大学首届优秀教材奖名单揭晓，共87本教材入选浙江大学首届优秀教材奖。其中浙江大学微纳电子学院何乐年教授编著的《模拟集成电路设计与仿真》获特等奖。热烈祝贺何乐年老师！
中国科学院微电子研究所专利：一种芯片表面形貌仿真的方法及装置
中国科学院微电子研究所 专利 芯片表面 形貌仿真
2023/7/7
中国科学院微电子研究所专利：一种芯片表面形貌仿真的方法及装置
中国科学院微电子研究所专利：提取芯片版图的版图图形特征的方法及CMP仿真方法
后摩尔时代，依靠缩小尺寸提升器件集成度的硅基CMOS技术面临物理原理和工艺技术的挑战。具有高性能、低功耗和低成本优势的Chiplet技术成为延续摩尔定律的重要选择之一。该技术利用先进封装工艺，将多个异构芯片集成为特定功能的系统芯片，从而满足人工智能等领域的应用需求。然而，由于Chiplet异构集成密度大幅增加，热耗散问题对异构系统的可靠性造成挑战。如何针对Chiplet异构集成系统的复杂性，提出新...
Academy of Mathematics and Systems Science, CAS Colloquia & Seminars：半导体器件仿真的多尺度模型和计算方法
半导体器件 仿真 多尺度模型 计算方法
2022/12/30
随着芯片设计和制造工艺的快速发展，晶体管尺寸不断微缩，量子力学效应越来越明显，传统基于漂移扩散方程的宏观数学模型难以刻画载流子输运的量子力学效应。而基于量子力学模型的器件仿真计算量大，计算时间长，难以满足工业的实际需求。基于宏观和微观多尺度耦合模型的计算方法受到越来越多关注，但相关研究成果还很不成熟，有效的计算方法和严格数学理论缺乏。我们将讨论一些多尺度耦合模型和计算中的数学问题，并报告初步的研究...
近日，南方科技大学深港微电子学院陈全助理教授团队在STT-MRAM器件建模仿真领域与大规模模拟电路瞬态仿真方面取得一系列新的进展。针对MRAM工作时所涉及到电-磁-热物理过程及他们之间复杂的非线性耦合关系，首次提出一种高效的三维多物理耦合仿真框架及算法，并以此研究了器件尺寸变化对于器件性能的影响，相关成果发表于国际著名EDA期刊IEEE Transactions on Computer-Aided...
2022年8月4号，华中科技大学光学与电子信息学院《集成电路制造关键工艺及制程整合虚拟仿真实验平台》获得中国高等教育学会第57届中国高等教育博览会“校企合作双百计划”典型案例称号。这是光学与电子信息学院虚拟仿真平台建设和人才培养的近年来取得的一系列成果之一。
相控阵导引头位标器稳定跟踪控制仿真
位标器 稳定跟踪 稳定平台
2013/2/8
研究了相控阵导引头位标器捷联稳定平台的控制问题。相控阵雷达通过嵌入天线阵元的移相器对阵面辐射波前进行控制，实现波束的空间扫描。这种体制的相控阵雷达可解决快速扫描问题，完成对目标的跟踪。在跟踪的同时需要消除由于导弹弹体姿态运动产生的对目标跟踪精度的扰动影响，同时保证稳定平台能够较好地跟踪固定目标或运动目标。对于雷达导引头，为了消除弹体姿态变化对目标测量的影响，采用捷联式稳定平台来实现天线的稳定。基于...
为了提高基于SOA-MZI结构的全光异或门的输出消光比，优化系统性能，将SOA和HNLF相结合，在光通信系统设计软件OptiSystem7.0仿真平台上搭建了基于SOA-MZI的全光异或仿真实验模型，对两路40 Gbit/s的RZ码数据信号进行了全光异或仿真实验。利用HNLF的非线性效应设计了一种优化结构对基于SOA-MZI的全光异或输出信号进行优化，并对优化前后的信号时域波形图和系统眼图进行了比...
基于模糊聚类和粗糙集的仿真可信性模糊综合评估
模糊聚类 粗糙集 权重分配 可信性评估
2010/4/23
为客观有效地解决仿真可信性评估问题，提出基于模糊聚类和粗糙集的仿真可信性模糊综合评估方法。阐述了基于模糊传递闭包法进行模糊聚类分析的基本步骤，分析了粗糙集中属性重要性的相关原理；提出了基于模糊聚类和粗糙集的可信性模糊综合评估模型，利用模糊聚类和粗糙集中的属性重要性原理客观地进行各因素权重分配，结合模糊综合评判进行仿真可信性综合评估；以某飞行视景仿真系统为例，进行可信性综合评估。结果表明,该方法具有...
清华大学模拟集成电路分析与设计课件第八讲B 跨导放大器的设计与仿真
模拟集成电路分析与设计 课件 跨导放大器
2009/2/25
清华大学模拟集成电路分析与设计课件第八讲B 跨导放大器的设计与仿真。
清华大学模拟集成电路分析与设计课件第七讲 LPE与后仿真
模拟集成电路分析与设计 课件 LPE 后仿真
2009/2/25
清华大学模拟集成电路分析与设计课件第七讲 LPE与后仿真。
在复合单压电层薄膜体声波谐振器(FBAR)的基础上，提出了一种新型的复合双压电层FBAR，它可以大大提高压电材料选择的灵活性。通过建模得到该结构的输入阻抗解析表达式，据此进行了仿真分析。仿真结果表明，基模谐振频率随双压电层结构中的较高声速压电膜的厚度所占比率的增加而加速增大，而相对带宽随较高机电耦合系数的压电膜的厚度与较低机电耦合系数的压电膜的厚度比的增加逐渐增加，并且复合双压电层FBAR出现了单...