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中国科学院微电子研究所专利:金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法
中国科学院微电子研究所 专利 金属源漏 SOI MOS晶体管
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利:一种嵌入区的形成方法以及嵌入源漏的形成方法
中国科学院微电子研究所 专利 嵌入区 嵌入源漏
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利:衬底结构、半导体器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 衬底结构 半导体器件
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利:亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法
中国科学院微电子研究所 专利 亚波长 极紫外 金属透射光栅
2023/7/10