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上海微系统所在硅基磷化铟异质集成片上光源方面取得重要进展（图）
硅基磷化 铟异质集成 单晶薄膜
2024/3/13
2024年3月13日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI团队，在通讯波段硅基磷化铟异质集成激光器方面取得了重要进展。基于“离子刀”异质集成技术成功制备出高质量4英寸硅基InP单晶薄膜异质衬底（InPOS），并进一步制备了性能优异的晶圆级硅基1.55 mm通讯波段法布里-珀罗腔（FP）腔激光器，得益于高质量的硅基磷化铟单晶薄膜，器件连续波（CW）模式下单面最高输出功率达155 mW且...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种新的激光制氮化硅粉末的方法及装置
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 激光 氮化硅粉末
2023/12/26
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种新的激光制氮化硅粉末的方法及装置
中国科学院合肥物质科学研究院专利：太阳能硅电池纳秒脉冲绿激光划片装置
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 太阳能 硅电池 纳秒脉冲 绿激光 划片装置
2023/11/14
中国科学院合肥物质科学研究院专利：太阳能硅电池纳秒脉冲绿激光划片装置
集微网消息，2023年8月22日，鹰谷光电总部基地项目工程在重庆经开区开工建设。广阳湾智创生态城消息显示，鹰谷光电投资8亿元、规划用地50亩，建设鹰谷光电总部基地一期项目。该项目计划2025年完工，项目一期工程将建设年产18.05万套6寸硅基光电探测芯片生产线和硅基光电探测芯片封装线。
中国科学院物理研究所硅基量子点激光器与硅波导单片集成（图）
微波光子学 硅基激光器 单片集成 高性能计算
2023/7/19
硅基光电芯片在人工智能、超大规模数据中心、高性能计算、光雷达（LIDAR）和微波光子学等领域具有广泛的应用。单片集成的硅基激光器具有低功耗、集成度高等优点，是未来光互连和高速光通信芯片的发展趋势。近年来，在硅衬底上直接外延生长III-V族量子点（QD）激光器取得了显著的进展，为硅基光电集成奠定了坚实的基础，但尚未实现硅基激光器与光电子器件的单片集成。
光致发光材料在信息安全领域的应用一直备受关注。现已开发出了包括水印、二维码和发光打印等多项防伪技术。然而常见的荧光材料颜色单一且很容易被模仿，更有效的防伪策略是光学特性多维度可调的新型材料，如发射颜色、发射强度以及余辉时长。这些光学特性不仅可以消除背景干扰，并且能够通过颜色和余辉时长的组合来实现多重加密。
中国科学院半导体研究所硅基外延量子点激光器研究取得进展（图）
硅基 外延 量子点 激光器
2023/6/25
硅基光电子集成芯片以成熟稳定的CMOS工艺为基础，将传统光学系统所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，提升芯片的信息传输和处理能力，可广泛应用于超大数据中心、5G/6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域。硅（Si）材料发光效率低，因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓（GaAs）外延在CMOS兼容Si基衬底上，并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。Si与GaAs材料间存...
上海微系统所在硅基胶体量子点片上发光取得重要进展（图）
硅基胶体 量子 集成光子器件
2023/6/16
PbS胶体量子点(CQDs)由于具有带隙宽、可调谐以及溶液可加工性强等优点，已广泛应用于气体传感、太阳能电池、红外成像、光电探测以及片上光源的集成光子器件中。然而PbS CQDs普遍存在发射效率低和辐射方向性差的问题，因此科学家们尝试利用半导体等离子体纳米晶或全介质纳米谐振腔来增强PbS CQDs的近红外荧光发射，使其成为更高效、更快的量子发射器。但是普遍存在光场限制能力弱，Q值低的问题。
阿尔法磁谱仪(AMS)硅探测器升级技术交流会于2023年5月18-19日在高能所召开。AMS实验发言人丁肇中教授、来自美国航空航天局(NASA)、麻省理工学院(MIT)、意大利国家核物理研究所(INFN)、欧洲核子中心(CERN)等单位的十几位外宾和来自高能所、山东高等技术研究院的三十多位项目组成员参加了会议。高能所所长王贻芳院士出席会议并致辞欢迎，高能所陈和生院士也全程参加了会议。
硅光技术具有CMOS兼容性及高集成度等突出优势，在全球范围内受到学界和业界高度重视，经过20余年迅速发展，已成为光子集成领域主流研究方向，被认为是支撑未来光互联、光计算、光测量、光传感等信息光电子应用的关键技术，具有广阔的应用前景。为满足日益复杂且多样化的实际需求，亟需突破单元器件性能瓶颈和功能芯片集成规模。
近红外光响应的有机光电探测器（OPDs）具有光电性质易调控、可大面积柔性印刷制备、可室温工作等优点，在可穿戴智能设备、柔性电子皮肤、生物医学成像等新兴领域具有广阔的应用前景。然而，高性能的超窄带隙有机半导体材料的设计合成较为困难，目前强近红外Ⅱ区（1000-1700 nm），尤其是硅带隙以下波段（>1100 nm）响应的有机光电探测器鲜有报道，且比探测率（D*）普遍低于商用无机探测器。
近红外光响应的有机光电探测器（OPDs）具有光电性质易调控、可大面积柔性印刷制备、可室温工作等优点，在可穿戴智能设备、柔性电子皮肤、生物医学成像等新兴领域颇具应用前景。然而，高性能的超窄带隙有机半导体材料的设计合成较为困难。目前关于强近红外Ⅱ区（1000-1700 nm）尤其是硅带隙以下波段（>1100 nm）响应的有机光电探测器鲜有报道，且比探测率（D*）普遍低于商用无机探测器。