搜索结果: 46-60 共查到“光学工程 硅”相关记录242条 . 查询时间(0.162 秒)
近日，合肥工业大学电子科学与应用物理学院（微电子学院）先进半导体器件与光电集成实验室的王莉副教授与胡继刚副教授和罗林保教授合作，成功研发出一种峰值波长位于1060纳米的硅肖特基近红外窄带光电探测器。相关成果以“Highly Sensitive Narrowband Si Photodetector With Peak Response at Around 1060 nm”为题在线发表在国际著名杂志...
据悉，国际著名行业杂志《Laser Focus World》报道了我系陆明教授课题组在硅光源领域的创新成果。《Laser Focus World》是光电子领域的权威媒体，重点关注激光与光电子行业最新技术与应用资讯，并对引领及推动光电子领域的创新技术作精选报道。报导创新亮点如下：用于照明的普通LED发光是由半导体氮化铝镓（AlGaN）LED发射蓝光和荧光粉发黄绿光组成的复合白光。尽管这类LED已经改...
近年来，山西煤炭化学研究所宋燕研究员及其带领的科研团队，通过对碳基及硅基负极材料进行结构设计，有效构筑了一系列电极材料，实现了材料比容量、循环稳定性和倍率性能的显著提升。基于商业负极材料石墨在结构以及容量方面的局限性，团队进行了多方尝试，如图1。以天然石墨鳞片以及沥青焦炭为原料，通过热压烧结的方式制备了石墨碳与多孔纳米碳共存的镍掺杂中空纳米碳负极材料（Carbon,2013,64:537-556;...
中国科学院宁波材料技术与工程研究所开发出效率达24.3%的多晶硅钝化接触n型晶硅太阳电池（图）
中国科学院宁波材料技术与工程研究所 效率 24.3% 多晶硅钝化 接触 n型晶硅 太阳电池
2020/3/27
多晶硅钝化接触技术（通常称TOPCon，也称为POLO、PERPoly、monoPolyTM、iTOPConTM、PERTOPTM）被广泛认为是最有希望的继PERC电池之后的下一代高效晶硅电池技术之一，是晶硅太阳电池技术领域的研究重点。截至2020年3月，全世界就该技术共发表近190余篇期刊和会议论文，德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（Fraunhofer ISE）、德国哈梅林太阳能研究所（ISFH...
近日，中国科学院上海光学精密机械研究所微纳光电子功能材料实验室与复旦大学合作，在镁硅掺杂的Ce:YAG荧光陶瓷的Ce3+离子发光红移机理和荧光性能研究方面取得新进展。相关研究成果发表在《合金和化合物杂志》(Journal of Alloys and Compounds)。
近期，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张凯研究员与湖南大学潘安练教授、深圳大学张晗教授合作，在Nature Communications 上发表题为“Epitaxial nucleation and lateral growth of high-crystalline black phosphorus films on silicon”的研究论文，报道了一种在硅等介质基底上生长高结晶性黑磷薄...
中国科学院微电子研究所新型高功函数异质结X射线硅漂移探测器研究获得进展（图）
中国科学院微电子研究所 新型 高功函数 异质结 X射线 硅漂移 探测器
2020/2/28
近日，微电子所高频高压中心贾锐研究员团队，在欧阳晓平院士指导下，创新性地将高功函数钝化接触异质结技术应用到硅漂移探测器（SDD）中，成功研制出新型SDD核心元器件。目前，该团队在硅异质结漂移探测器的器件设计、工作机理和工艺制备等方面形成了核心竞争力，并具有完全自主知识产权。 硅漂移探测器是高能粒子探测领域能量分辨率最高的探测器之一，主要用于探测高能粒子和X射线，具有灵敏度高、能量分辨率高和计数率高...
中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所专利：用于碳化硅光学镜面改性与面形提升的磁控溅射扫描方法
中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所 专利 碳化硅光学镜面 磁控溅射扫描方法
2020/1/21
专利名称:用于碳化硅光学镜面改性与面形提升的磁控溅射扫描方法。专利类别:发明。申请日期:2018.02.12。专利号:ZL201810144019.1。第一发明人:王晋峰。其它发明人:黄猛;田杰;王烨儒。
滞弹性是指材料在外力去除后变形不会立即恢复而需要经过足够长时间才能逐渐复原的现象，由于该过程会产生能量耗散，因此滞弹性材料的阻尼性能都较好，可用于减振、降噪等。然而，宏观块体材料的滞弹性一般都比较小，尤其是在室温条件下。当材料特征尺寸缩减到纳米尺度，以纳米线为例，滞弹性会有非常显著的提升。现阶段，纳米线滞弹性的相关研究主要是针对晶体材料，非晶纳米线的滞弹性还鲜有报道，这主要是因为其合成与结构表征上...
北京大学物理学院王剑威、龚旗煌课题组在硅基光量子芯片研究方面取得重要进展（图）
北京大学物理学院 王剑威 龚旗煌 硅基光量子芯片
2019/12/24
北京大学物理学院“极端光学创新研究团队”王剑威研究员和龚旗煌院士领导的课题组，与英国、丹麦、奥地利和澳大利亚的学者合作，实现了硅基集成光量子芯片上的多体量子纠缠和芯片-芯片间的量子隐形传态功能，为芯片上光量子信息处理和计算模拟的应用，奠定了坚实的基础。相关研究成果于近日发表在国际顶级物理期刊Nature Physics (https://www.nature.com/articles/s41567...
《光:科学与应用》发表硅芯光纤高亮度中红外光源研究新进展（图）
硅芯光纤 高亮度 红外光源
2019/12/9
2019年1月21日，自然出版集团旗下《光:科学与应用》（Light: Science & Applications，IF：14）刊发华中科技大学武汉光电国家研究中心光电子器件与集成功能实验室多维光子学团队（Multi-Dimensional Photonics Lab, MDPL）青年教师沈力与英国南安普顿大学Anna Peacock教授、美国克莱姆森大学John Ballato教授和挪威科技大...
由中德科学中心资助、天津大学和德国埃尔朗根-纽伦堡大学联合承办的第一届“碳化硅器件的缺陷工程制造-原子尺度模拟、表征分析和加工方法”中德双边研讨会于2019年11月10日至14日在中国北京举行。会议中方主席为天津大学徐宗伟副教授，德方主席为德国埃尔朗根-纽伦堡大学、弗劳恩霍夫协会的马蒂亚斯?隆美尔博士。本次研讨会共邀请了来自亥姆霍兹-德累斯顿离子束物理与材料研究所、弗劳恩霍夫集成系统和元器件技术研...
硅单光子探测器取得重要进展
硅单 光子探测器 精密测量 激光雷达
2019/10/16
由无锡中微晶园电子有限公司牵头承担的国家重点研发计划“重大科学仪器设备开发”重点专项“高灵敏硅基雪崩探测器研发及其产业化技术研究”项目经过近两年的努力，突破了低抖动、大光敏面硅单光子探测芯片设计、界面电场调控的离子注入和氧化层制备、低噪声芯片封装等关键技术，开发出硅单光子探测器样机。近日，项目顺利通过了科技部高技术中心组织的中期检查。
浙江大学信息与电子工程学院赵毅教授课题组基于硅基忆阻器（PLRAM）的深度学习芯片研究成果被IEDM 2019接收（图）
浙江大学信息与电子工程学院 赵毅 教授 硅基忆阻器 PLRAM 深度学习芯片
2019/9/25
近日，信电学院赵毅教授课题组与上海华虹宏力、杭州闪亿的合作研究工作-基于成熟集成电路硅工艺的新型人工突触芯片及其在语音识别中的应用-被2019 IEEE国际电子器件会议IEDM（International Electron Devices Meeting）接收。该项工作提出了一种基于集成电路硅工艺的新型忆阻器（PLRAM），它可以储存7位比特以上的信息。进一步利用该新型忆阻器器件，研究团队实现了存...
碳化硅单晶基光导开关因具有传统开关器件不可比拟的特性，已显现出在高技术领域中的广阔应用前景，近些年来得到国际科技界和工业界越来越多的关注。近期，中国科学院上海硅酸盐研究所碳化硅晶体项目部在开展碳化硅晶锭制备和晶圆片加工的同时，与相关应用单位紧密合作，持续开展碳化硅基光导开关原理研究和器件制备实验，研制成功多款器件并完成了应用验证。