搜索结果: 1-15 共查到“知识库 光学工程 硅”相关记录141条 . 查询时间(0.258 秒)
MEMS硅半球陀螺球面电极成形工艺
微机电系统 半球陀螺 球面电极 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
2016/5/7
由于球面电极是曲面结构，电极各处的电感耦合等离子体（ICP）刻蚀深度不一致，在加工过程中常发生球面电极还未刻蚀到位而谐振器已被破坏的现象，故本文提出了新的球面电极成形工艺。基于ICP刻蚀固有的lag效应，采用刻蚀窗口宽度由60 μm渐变至10 μm的V形刻蚀掩模调制电极各处的刻蚀速度，在电极各处获得了基本一致的归一化刻蚀速度（2.3 μm/min）。利用台阶结构拟合球面电极的3D曲面结构，并保证通...
硅雪崩光电探测器工作寿命试验及失效分析研究
硅雪崩光电探测器 FMEA 加速寿命试验 失效分析
2016/3/10
通过FMEA分析和加速寿命试验，确定了硅雪崩光电探测器的主要失效模式有两种，一种是暗电流超标，另一种是前放输出电压不合格；对这两种失效模式进行了失效分析，认为是高温应力引起器件内部气氛的变化，主要是氢气含量变大引起器件暗电流不合格；大电流引起前置放大电路上晶体管损伤是前放输出电压不合格的原因。
调制损耗对硅基MZI结构光调制器非线性特性的影响
硅光子学 光调制器 非对称马赫-曾德干涉仪结构 非线性 光通信
2016/3/3
针对基于马赫-曾德干涉仪结构的硅基光调制器中非线性电光响应的问题,采用包含PN结非线性调制损耗和非线性折射率变化的模型,通过数值仿真方法,研究了上下两臂对称和不对称两种情况下,调制损耗对硅基光调制器非线性的影响.对比考虑调制损耗和忽略调制损耗的模型,发现在常规大信号情况下,当光调制器偏置相位为0时,调制损耗使得三次谐波增强,四次谐波减弱;当光调制器偏置相位为π/2时,调制损耗使得二次和四次谐波增强...
设计了一款由微机电系统和专用集成电路构成的小型化硅微谐振式加速度计。该加速度计采用80 μm厚SOI工艺加工微机电系统(MEMS)结构，采取真空封装技术降低结构噪声。首先，采用振荡信号作为自动增益控制电路中斩波器的控制信号，降低了闪变噪声且不会引入额外的功耗。其次，使用线性区工作的乘法器取代传统的吉尔伯特单元，通过大幅降低系统总体供电电压来降低功耗。最后，采用复位计数器进行频率数字转换，在所关心的...
设计了一种基于绝缘上层硅的硅-有机物材料混合马赫-曾德干涉型高速电光调制器.利用光束传播法对顶层硅为220 nm的绝缘上层硅基片上的3 dB分束器/合束器的结构参数进行模拟,优化后附加损耗仅为0.106 dB.为提高模式转换效率,在条形波导和slot波导之间设计了模式转换器,光耦合效率高达98.8%,实现了光模式高效转化.利用时域有限差分法模拟了slot波导平板区掺杂浓度对波导内光学损耗的影响,在...
考虑环境温度会影响硅微谐振加速度计(MSRA)的测量精度,本文研究了谐振梁的频率漂移及抑制方法以便提高其在常温下的零偏稳定性。针对结构热膨胀导致的应力进行了建模仿真,并根据仿真结果优化设计了一种低热应力的双端固支梁的结构来降低热膨胀系数不匹配带来的频率漂移。实验测得新结构的单梁谐振频率的温度系数从典型结构的约30 Hz/℃降为-1.5 Hz/℃,与仿真结果-1.14 Hz/℃基本一致。为了进一步提...
基于硅基液晶拼接的高对比度动态星模拟器光学系统
光学系统设计 硅基液晶(LCOS)拼接技术 星模拟器 杂散光 偏振度 星图识别
2015/10/16
针对基于硅基液晶(LCOS)拼接技术的动态星模拟器对比度低,无法在星图识别过程中为星敏感器提供全部有效目标的问题,提出通过抑制光学系统杂散光来提高LCOS拼接动态星模拟器对比度的方法,讨论了偏振度对于杂散光的影响,并推导出入射角与偏振度的函数关系。设计了抑制杂散光的光学系统,该系统包括利用复合抛物面聚光器(CPC)结合望远系统组成照明光源,配合多棱镜的1/4波片和视场角不小于11°的准直光学系统。...
提出并成功设计了基于自准直马赫-曾德尔干涉仪(SMZI)的空气孔硅光子晶体偏振无关3 dB分光器。介绍了采用偏振透射谱匹配的方法,SMZI可以实现偏振无关分束的基础理论。通过连续改变SMZI两臂的光程差,基于匹配两个偏振的透射谱,成功实现了在归一化频率下将TE偏振和TM偏振的入射自准直光束进行1:1分光。最后,利用时域有限差分数值模拟软件计算出来的TE偏振瞬时磁场分布图和TM偏振瞬时电场分布图验证...
针对摆式微加速度计的制作,对利用两种添加剂共同修饰的TMAH刻蚀液的单晶硅湿法刻蚀技术及其相关刻蚀特性进行了研究。分析了两种添加剂之间的作用机理及对单晶硅湿法刻蚀的影响,选择合适的添加剂刻蚀液配比,实现了稳定的刻蚀形貌控制。通过两种添加剂的共同作用,获得了具有光滑刻蚀表面(粗糙度约为1 nm)和良好凸角保护(凸角侧蚀比率小于0.8)的刻蚀形貌。实验结果表明,在三重溶液(TMAH+Triton-X-...
前驱体浸渍对反应烧结碳化硅性能的影响
碳化硅 反应烧结 前驱体浸渍
2015/6/17
为了提高凝胶注模反应烧结碳化硅的综合性能,选用糠醇为前驱体,对高温脱脂后多孔状态的坯体进行前驱体浸渍处理,以期通过提高反应烧结后坯体中的碳化硅含量来提升其性能。研究了浸渍处理对碳化硅密度以及微观结构的影响。结果显示:未经浸渍处理的样品平均密度为2.93 g/cm3,折合碳化硅含量(体积分数)为68.2%;经糠醇浸渍处理后的样品平均密度为3.06 g/cm3,折合碳化硅含量(体积分数)为83.0%,...
分别以铝、银、硅为一维背栅设计了三种单晶硅结构的薄膜太阳能电池.利用时域有限差分法,在入射光为300 nm～1100 nm的波长段,计算了三种背栅材料的单晶硅薄膜太阳能电池单晶硅层的光吸收效率;利用计算所得到的磁场强度分布特点,分析了600 nm以上波长段光吸收增强的机理.定义了归一化光吸收密度的概念,以定量衡量给定波段的光吸收效率.通过比较三种太阳能电池的归一化光吸收密度和短路电流密度,发现铝背...