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光波跃动:面向移动无线光通信的硅基光学相控阵(图)
光波跃动 移动无线光通信 硅基光学相控阵
2024/4/19
2023年3月29日,中国科学院大连化学物理研究所低碳催化与工程研究部研究员郭鹏、工程院院士刘中民团队与南京工业大学副教授王磊团队合作,在分子筛结构解析研究中取得新进展,利用先进的三维电子衍射技术(cRED)直接解析出含有序硅羟基的纯硅分子筛结构。
浙江大学光电学院硅基纳米光子集成研究团队招聘启事
浙江大学光电学院 硅基纳米光子集成研究团队 博士后 硅基集成光子器件 光感知
2022/3/18
硅基集成高速模式偏振选择开关(图)
PN结相移器 硅基多维复用光开关 高速光网络
2022/3/7
电子薄膜与集成器件国家重点实验室(电子科技大学)于近日正式发布了全球首款CMOS单片集成之全硅微显示芯片。该实验室的硅光研发小组依托“中国电科—电子科大”共建的核心电子材料与器件协同创新中心开展校企合作,成功研发了全球首款“基于硅材料自身发光”的全硅微显示芯片样品。该项工作的“原创理念”是创新性地完全规避了硅材料(间接带隙)能带结构的天然缺陷,利用PN结反向偏置,获得一种类似“轫致辐射”的发光,再...
日前,北京大学信息科学技术学院电子学系、区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室张帆教授课题组在相关研究方向取得重要进展。他们基于22 GHz带宽的硅基双驱动行波调制器,成功演示了80 Gbaud(1 Gbaud=109波特)的六电平强度调制(PAM-6)信号产生,实现单通道200 Gbps速率的硅基光调制芯片——这是目前纯硅基光强度调制器所达到的最大速率。随后,进一步采用 88 Gbaud的...
美国研究团队开发出硅基芯片上光通信技术
美国研究团队 硅基芯片 光通信技术
2017/11/23
美国麻省理工学院发布消息称,该校一个研究团队开发出一种新材料,可集成在硅基芯片上进行光通信,从而比导线信号传输具有更高的速度和更低的能耗。该成果发布在最新出版的《自然·纳米技术》期刊上。这种新材料为二碲化钼,是近年来引人关注的二维过渡金属硫化物的一种。这种超薄结构的半导体可以集成在硅基芯片上,并可以在电极作用下发射或接收光信号。传统上,砷化鎵是良好的光电材料,但很难与硅基材料兼容。此外,传统的光电...
调制损耗对硅基MZI结构光调制器非线性特性的影响
硅光子学 光调制器 非对称马赫-曾德干涉仪结构 非线性 光通信
2016/3/3
针对基于马赫-曾德干涉仪结构的硅基光调制器中非线性电光响应的问题,采用包含PN结非线性调制损耗和非线性折射率变化的模型,通过数值仿真方法,研究了上下两臂对称和不对称两种情况下,调制损耗对硅基光调制器非线性的影响.对比考虑调制损耗和忽略调制损耗的模型,发现在常规大信号情况下,当光调制器偏置相位为0时,调制损耗使得三次谐波增强,四次谐波减弱;当光调制器偏置相位为π/2时,调制损耗使得二次和四次谐波增强...
提出并成功设计了基于自准直马赫-曾德尔干涉仪(SMZI)的空气孔硅光子晶体偏振无关3 dB分光器。介绍了采用偏振透射谱匹配的方法,SMZI可以实现偏振无关分束的基础理论。通过连续改变SMZI两臂的光程差,基于匹配两个偏振的透射谱,成功实现了在归一化频率下将TE偏振和TM偏振的入射自准直光束进行1:1分光。最后,利用时域有限差分数值模拟软件计算出来的TE偏振瞬时磁场分布图和TM偏振瞬时电场分布图验证...
由中国科学院高能物理研究所自主研制的面向同步辐射应用的硅像素探测器单芯片模块于7月30日在同步辐射专用光模式下进行了性能测试,各项性能均达到设计指标,取得了阶段性的进展。
针对摆式微加速度计的制作,对利用两种添加剂共同修饰的TMAH刻蚀液的单晶硅湿法刻蚀技术及其相关刻蚀特性进行了研究。分析了两种添加剂之间的作用机理及对单晶硅湿法刻蚀的影响,选择合适的添加剂刻蚀液配比,实现了稳定的刻蚀形貌控制。通过两种添加剂的共同作用,获得了具有光滑刻蚀表面(粗糙度约为1 nm)和良好凸角保护(凸角侧蚀比率小于0.8)的刻蚀形貌。实验结果表明,在三重溶液(TMAH+Triton-X-...
利用具有相反热光特性的氮氧化硅与聚合物材料, 采用混合集成波导结构设计了一种低功耗S型可变光衰减器.该衰减器以聚合物为芯层材料, 氮氧化硅为包层材料, 在弯曲波导上方制作加热电极从而通过热光效应来实现可调谐的衰减功能.理论分析表明, 对于1.55 μm的工作波长, 衰减器实现50 dB的衰减仅需要3.6 mW的功率.实验结果可实现0~40 dB的衰减范围, 相应的最大温度变化为70.4℃, 器件插...
分析了温度在高真空环境下对硅微机械陀螺品质因数的影响机理。阐述了热弹性阻尼的复频率模型和硅材料的温度特性,建立了品质因数温度特性理论模型,并对理论模型进行了仿真验证和实验验证。理论计算得到常温下品质因数的温度系数为-9.76×10-3/℃。利用ANSYS对品质因数的温度系数进行仿真分析,得到常温下品质因数温度系数的仿真值为-9.96×10-3/℃。对硅微机械陀螺进行品质因数温度实验,得到常温下品质...