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中国科学院半导体研究所硅基外延量子点激光器研究取得进展（图）
硅基 外延 量子点 激光器
2023/6/25
硅基光电子集成芯片以成熟稳定的CMOS工艺为基础，将传统光学系统所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，提升芯片的信息传输和处理能力，可广泛应用于超大数据中心、5G/6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域。硅（Si）材料发光效率低，因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓（GaAs）外延在CMOS兼容Si基衬底上，并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。Si与GaAs材料间存...
氧化镓（β-Ga2O3）薄膜材料是目前宽禁带半导体材料领域研究的热点，这种材料在日盲紫外探测和功率器件等方面有着广泛的应用前景。采用斜切(mis-cut)的衬底能有效抑制外延层的缺陷。这种技术被广泛应用于GaN等材料体系的外延生长中，也有将其应用于氧化镓薄膜外延领域的报道。近日，中科院半导体研究所成步文研究员课题组采用MOCVD研究不同斜切角度的蓝宝石衬底上的氧化镓生长技术。研究结果表明斜切的蓝宝...
第三代半导体材料外延及光电子元器件和模块封装项目签约宝鸡凤翔
第三代半导体材料 光电子元器件 宝鸡凤翔
2022/4/6
2022年3月30日，陕西省宝鸡市凤翔高新技术产业开发区管理委员会与陕西昌瑞新电子科技有限公司举行第三代半导体材料外延及光电子元器件和模块封装项目签约仪式。
二维 (2D) 材料，特别是石墨烯和氮化物的异质集成，为半导体器件提供了新的机遇，在制备柔性可穿戴设备，以及可转移电子和光子器件领域有广泛的应用前景。由于石墨烯表面自由能低，氮化物在石墨烯表面不易成核，采用等离子体预处理或者生长缓冲层的方法难以获得高质量的单晶氮化物。最近，一种新的外延技术——远程外延有望解决这一难题。该技术是利用石墨烯的“晶格透明性”，衬底和外延层产生远程的静电相互作用，通过这种...
近日，中国科学技术大学俞书宏教授课题组与多伦多大学Sargent教授课题组合作，设计了一种“脉冲式轴向外延生长”方法，成功制备了尺寸、结构可调的一维胶体量子点-纳米线分段异质结，利用ZnS纳米线对CdS量子点的晶面选择性钝化作用，可同时实现量子点表面的有效钝化和光生载流子的有效转移。该研究成果以“Pulsed axial epitaxy of colloidal quantum dots in n...
金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究
气相外延 Hg1-xCdxTe 晶体 拉曼光谱
2014/1/15
采用气相外延技术生长金掺杂的Hg1-xCdxTe 薄膜材料，通过高低温退火工艺有效控制p 型Hg1-xCdxTe 材料的电学参数，利用傅里叶光谱仪、金相显微镜以及拉曼光谱技术对薄膜材料进行表征。通过常规光伏器件的制作工艺，利用金掺杂材料初步研制了短波器件，器件性能较好黑体DλP* 可达4.67E+11/(cmHz1/2W-1)。
研究了HgCdTe液相外延薄膜的组分均匀性对器件响应光谱的影响。提出了一种计算HgCdTe红外探测器响应光谱的方法，考虑了HgCdTe液相外延薄膜的纵向组分分布和横向组分波动，以及光在器件各层结构中的相干、非相干传输。使用该方法计算了响应光谱的峰值响应率和截止波长ε液相外延HgCdTe的互扩散区厚度Δz和组分均方差σ的变化规律。结果表明：对于一般的HgCdTe外延薄膜，σ小于0.002，不需要考虑...
基于LabVIEW的外延片光致发光扫描系统
LabVIEW PL-Mapping 实时分析显示 高斯拟合
2012/1/9
概述了一套基于LabVIEW而搭建的半导体光致发光扫描系统.充分考虑扫描过程中由于外延片荧光信号过于微弱、不均匀背景光噪音可能产生的光谱采集失真以及随后分析谱图所存在的物理参量读取误差等因素,通过扣除背光源、隔离样品、高斯拟合等方式对测量过程进行优化.同时依托LabVIEW自身强大的仪器控制能力,如调用动态链接库与ActiveX控件实现了对光谱仪和平移台的通信与控制,结合其良好的数据分析及显示能力...
基于器件模拟仿真，设计了一种ＰＮＰ 型１．５μｍ 波长多量子阱ＩｎＧａＡｓＰＩｎＰ 异质结晶体
管激光器材料外延结构，并采用金属有机化学气相沉积外延生长．其中基区采用Ｎ 型Ｓｉ掺杂．因为
扩散系数小，比较Ｐ型Ｚｎ搀杂具有较高的稳定性，因而较ＮＰＮ 结构外延材料容易获得高质量的
光学有源区．由于Ｎ 型欧姆接触比Ｐ型容易获得，基区搀杂浓度可以相对较低，有利于减小基区光
损耗和载流子复合，从而...
苏州纳米所高端LED外延片成功实现量产
苏州纳米所 LED
2010/1/26
最近，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所半导体照明LED产业化取得可喜成绩，研制出高亮度、长寿命蓝光LED，波长455-460nm（背光源用），发光功率超过22mw，Vf<3.2V，ESD（2000V）>90%，各项指标在国内行业中属最好水平，目前已开始批量生产。
XRD法计算4H-SiC外延单晶中的位错密度
4H-SiC 同质外延生长 X射线衍射 位错密度
2009/9/28
对用X射线衍射法计算4H-SiC外延中的位错密度方法进行了理论和实验研究。材料中的位错密度大于106 cm-2会给材料位错密度的测试会带来一定的困难。首先从理论上分析了位错密度对X射线衍射结果的影响，得出位错密度和峰宽FWHM展宽的关系。然后对4H-SiC样品进行了X射线三轴晶ω-2θ测试，采用不同晶面衍射峰，计算出样品的位错密度。分析了外延中位错产生的原因，并提出了相应的解决办法。
InP基光电器件的外延工艺优化与材料生长
异质外延 应变层超晶格 光探测器
2009/9/17
改变反应器操作压力、生长温度、基座转速等几个重要的工艺参数，计算了其内部均匀稳
定热流场的形态条件；并提取各参数进行优化计算，得到了MOCVD反应器内部较佳的输运机制. 然
后利用超薄低温InP缓冲层技术，在半绝缘GaAs衬底上成功地制备出了长波长异变In0.53Ga0.47As PIN
光电探测器，器件的台面面积为50 μm×50 μm，In0.53Ga0.47As吸收层厚度为300 nm...