搜索结果: 1-15 共查到“光学工程 硅”相关记录22条 . 查询时间(0.15 秒)
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种新的激光制氮化硅粉末的方法及装置
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 激光 氮化硅粉末
2023/12/26
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种新的激光制氮化硅粉末的方法及装置
中国科学院合肥物质科学研究院专利：太阳能硅电池纳秒脉冲绿激光划片装置
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 太阳能 硅电池 纳秒脉冲 绿激光 划片装置
2023/11/14
中国科学院合肥物质科学研究院专利：太阳能硅电池纳秒脉冲绿激光划片装置
集微网消息，2023年8月22日，鹰谷光电总部基地项目工程在重庆经开区开工建设。广阳湾智创生态城消息显示，鹰谷光电投资8亿元、规划用地50亩，建设鹰谷光电总部基地一期项目。该项目计划2025年完工，项目一期工程将建设年产18.05万套6寸硅基光电探测芯片生产线和硅基光电探测芯片封装线。
中国科学院半导体研究所硅基外延量子点激光器研究取得进展（图）
硅基 外延 量子点 激光器
2023/6/25
硅基光电子集成芯片以成熟稳定的CMOS工艺为基础，将传统光学系统所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，提升芯片的信息传输和处理能力，可广泛应用于超大数据中心、5G/6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域。硅（Si）材料发光效率低，因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓（GaAs）外延在CMOS兼容Si基衬底上，并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。Si与GaAs材料间存...
阿尔法磁谱仪(AMS)硅探测器升级技术交流会于2023年5月18-19日在高能所召开。AMS实验发言人丁肇中教授、来自美国航空航天局(NASA)、麻省理工学院(MIT)、意大利国家核物理研究所(INFN)、欧洲核子中心(CERN)等单位的十几位外宾和来自高能所、山东高等技术研究院的三十多位项目组成员参加了会议。高能所所长王贻芳院士出席会议并致辞欢迎，高能所陈和生院士也全程参加了会议。
近红外光响应的有机光电探测器（OPDs）具有光电性质易调控、可大面积柔性印刷制备、可室温工作等优点，在可穿戴智能设备、柔性电子皮肤、生物医学成像等新兴领域具有广阔的应用前景。然而，高性能的超窄带隙有机半导体材料的设计合成较为困难，目前强近红外Ⅱ区（1000-1700 nm），尤其是硅带隙以下波段（>1100 nm）响应的有机光电探测器鲜有报道，且比探测率（D*）普遍低于商用无机探测器。
近红外光响应的有机光电探测器（OPDs）具有光电性质易调控、可大面积柔性印刷制备、可室温工作等优点，在可穿戴智能设备、柔性电子皮肤、生物医学成像等新兴领域颇具应用前景。然而，高性能的超窄带隙有机半导体材料的设计合成较为困难。目前关于强近红外Ⅱ区（1000-1700 nm）尤其是硅带隙以下波段（>1100 nm）响应的有机光电探测器鲜有报道，且比探测率（D*）普遍低于商用无机探测器。
近红外光响应的有机光电探测器（OPDs）具有光电性质易调控、可大面积柔性印刷制备、可室温工作等优点，在可穿戴智能设备、柔性电子皮肤、生物医学成像等新兴领域有着广阔的应用前景。然而，高性能的超窄带隙有机半导体材料的设计合成较为困难，目前强近红外Ⅱ区（1000-1700 nm），尤其是硅带隙以下波段（>1100 nm）响应的有机光电探测器鲜有报道，且比探测率（D*）普遍低于商用无机探测器。
近日，《应用物理评论》（Applied Physics Reviews）在线发表了中国科学院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室欧欣团队撰写的综述文章（Silicon carbide for integrated photonics），并被编辑推荐为该期刊7月份“热点文章”（Featured Article）。该综述以薄膜制备到光子器件实现为主体，全方面回顾了碳化硅单晶薄膜制备及其在集成非光学、...
中国科学院半导体研究所在硅基锗锡中红外探测器方面获进展（图）
硅基锗锡 红外探测器 中红外光子学
2022/7/6
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室成步文研究团队研制出工作在中红外波段的硅基锗锡探测器。这是该团队在锗锡材料外延生长取得进展后，在锗锡光电器件方面取得的又一重要成果。
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室成步文研究团队研制出工作在中红外波段的硅基锗锡探测器。这是研究团队在锗锡材料外延生长取得突破之后，在锗锡光电器件方面取得的又一重要进展。
