搜索结果: 136-150 共查到“光学工程 硅”相关记录242条 . 查询时间(0.18 秒)
如何进一步降低超光滑光学元件表面缺陷是现代超精密光学元件制作技术研究的热点之一。在传统抛光方法的基础上，引入非绝热近场光学诱导平滑硅表面微结构这一新型方法，进一步去除超光滑抛光表面残留的纳米级表面微缺陷，降低表面粗糙度。通过建立超光滑硅表面的微结构几何模型，采用时域有限差分法对表面微结构凸起在532 nm 激光作用下的局域电场增强进行数值模拟。对比不同尺度的微结构所激发的最大电场强度表明，在基底峰...
基于绝缘硅超小微环谐振器的微波光子相移器设计
绝缘硅 微环相移器 射频相移 射频功率
2013/6/25
设计了一种基于绝缘硅材料的超小微环相移器,能够在自由频谱范围内实现2π相移的同时相移达到最佳线性化.根据全通微环谐振器的相移特性可知,在临界耦合点时微环谐振器达到π的相移,在过耦合领域达到2π相移.分析了直波导宽度及间距两个参量,用精细度F表征间距,讨论了由于这两个参量变化对微环谐振器相移的影响,并且给出了设计的相移范围和相应的功率变化.实验结果表明:若采用40 GHz的射频信号,设计的微环相移器...
(Ce，Yb）共掺杂氧化硅薄膜的发光特性及结构
下转换发光 稀土掺杂 氧化硅薄膜 硅酸盐
2013/6/19
采用磁控溅射技术在单晶硅衬底上制备了稀土（Ce，Yb）共掺杂氧化硅薄膜，研究了薄膜样品的结构和下转换发光性质。样品的发光光谱显示，在He-Cd激光器325 nm线的激发下，Ce3+离子的发光强度较弱而Yb3+离子的发光较强；Yb3+的发光随着退火温度的升高逐渐增强；这些结果加上样品的激发光谱和衰变光谱，都显示样品中发生了Ce3+ 到Yb3+的能量传递过程。X射线衍射结果表明，样品在高温退火时（大于...
研究了基于氮化铝（AlN）薄膜的压电式风致振动微机电系统（MEMS）能量采集单元的制备工艺。采用脉冲直流磁控溅射的方法制备了具有（002）择优取向的AlN压电薄膜,并通过X射线衍射仪(XRD)及扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的性能。测试结果表明：种子层材料、气体流量比和衬底温度等对AlN薄膜晶体取向及薄膜性能有重要影响。制备的具有（002）择优取向的AlN薄膜的衍射强度达到105count, ...
在真空环境下利用飞秒激光制备的“黑硅”材料，其形貌与SF6气氛中制备的“黑硅”材料有着很大的区别。为了研究这种真空环境下制备的微构造硅的相关光学特性，通过改变入射脉冲能量研究其峰值变化以及吸收特性，发现当峰值达到一定高度时其对200~2 500 nm波段的光波有95%左右的吸收效率，这与SF6气氛中制备的微构造硅的吸收效率不相上下。最后对两种环境下制备的“黑硅”样品进行退火处理，发现真空环境下制备...
为了得到均匀分布的硅表面微结构,提出了一种利用多束激光干涉光刻的方法来实现对硅表面微结构分布特征的控制.利用空间光调制器实现飞秒激光多光束干涉,形成分布均匀、周期可控的空间点阵,利用聚焦的空间点阵在单晶硅表面烧蚀得到规则分布的凹坑状结构,并通过改变附加给空间光调制器的相位实现对微结构分布特征及间距的控制.用扫描电子显微镜和分光光度计分别对结构的形貌特征和光学特性进行了测量,结果表明:采用底角为2°...
硅基APD器件的工艺及性能仿真分析
硅基雪崩二极管(Si-APD) 二维工艺仿真 器件仿真
2013/5/12
硅基APD 的性能取决于其器件结构与工艺过程。文中对n+-p-π-p+外延结构的APD 器件的工艺和器件性能进行了仿真分析，为硅基APD 器件的设计提供了理论指导。利用Silvaco 软件对APD器件的关键工艺离子注入和扩散工艺进行了仿真， 确定工艺参数对杂质的掺杂深度和掺杂分布的影响。并且，对于APD 器件的性能进行了分析，对电场分布、增益、量子效率、响应度等参数进行了仿真分析。仿真结果表明：在...
美国首次研制出稳定的单原子层锗其电子迁移率是硅的10倍、传统锗的5倍
晶体管 单原子 纳米
2013/4/15
据物理学家组织网2013年4月10日报道，60年前，锗被用来做成了第一块晶体管，但随后被硅取代，现在，美国科学家首次成功制造出了单原子厚度的锗——单锗（germanane），其电子迁移率是硅的10倍，因而有望取代硅用于制造更好的晶体管。研究发表在最新一期的美国化学会《纳米》杂志上。
基于绝缘硅超小微环谐振器的微波光子相移器设计
绝缘硅 微环相移器 射频相移 射频功率
2013/3/28
计了一种基于绝缘硅材料的超小微环相移器,能够在自由频谱范围内实现2π相移的同时相移达到最佳线性化.根据全通微环谐振器的相移特性可知,在临界耦合点时微环谐振器达到π的相移,在过耦合领域达到2π相移.分析了直波导宽度及间距两个参量,用精细度F表征间距,讨论了由于这两个参量变化对微环谐振器相移的影响,并且给出了设计的相移范围和相应的功率变化.实验结果表明:若采用40 GHz的射频信号,设计的微环相移器射...
硅太阳能电池板的光谱BRDF测量及色度特性的研究
光谱双向反射分布函数 双向反射系数 光谱反射率因数 色度 光散射
2013/3/4
实验测量了硅太阳能电池板在380～780 nm内的光谱双向反射分布函数（BRDF），分析了光谱双向反射分布函数随波长及散射角的变化趋势，将色度学理论和光散射理论相结合，寻找到光散射理论中的双向反射系数与色度学中光谱反射率因数的联系，进而获得了一种通过光谱BRDF测量实现物体色度特性表征的方法。并且采用CIELAB均匀色空间中的明度指数和色品指数、定量地描述了几种入射条件下、不同散射方向上目标样片的...
科学家制成彩色高效硅基发光二极管
彩色 硅基发光二极管
2013/2/20
据物理学家组织网2月18日报道，硅纳米晶体的尺寸仅为几纳米，却具有很高的发光潜力。现在，来自德国卡尔斯鲁厄理工学院（KIT）和加拿大多伦多大学的科研人员借助硅纳米晶体，成功制造出了高效的硅基发光二极管（SiLEDs），其不含重金属，却能够发射出多种颜色的光。相关研究报告发表在近期出版的《纳米快报》杂志上。
不同离子束参数诱导单晶硅纳米微结构与光学性能
低能离子束刻蚀 自组织纳米结构 表面形貌 表面粗糙度(RMS) 光学透过率
2013/1/10
使用微波回旋共振离子源，研究了低能Ar+离子束正入射时不同离子束能量和束流密度对单晶硅（100）表面的刻蚀效果及光学性能。结果表明，当离子束能量为1 000 eV，束流密度为88~310 μA/cm2时，样品表面出现自组装纳米点状结构，且随着离子束流密度增加排列紧密而有序；粗糙度呈现先减小后迅速增大的趋势，在160 μA/cm2附近达到极小值；刻蚀后，近红外波段内平均透过率由53%提高到57%以上...
氢稀释对纳米晶硅薄膜晶化特性的影响及薄膜生长机理
纳米晶硅薄膜 晶化率 氢稀释 生长机理
2012/12/13
以SiH4与H2作为前驱气体,采用射频等离子增强化学气相沉积技术制备了纳米晶硅薄膜.利用Raman散射和红外吸收光谱等技术,对不同氢稀释比条件下薄膜的微观结构和键合特性进行了研究.结果表明,随着氢稀释比增加,薄膜的晶化率明显提高,而氢稀释比过高时,薄膜晶化率呈现减少趋势.红外吸收光谱分析表明,纳米晶硅薄膜中氢的键合模式与薄膜的晶化特性密切相关.随着氢稀释比增加,薄膜中整体氢含量和SiH2键合密度明...
银/二氧化硅薄膜对硝酸钠红外吸收特性的影响
红外吸收 银／二氧化硅膜 硝酸盐
2012/12/7
采用银氨溶液与二氧化硅溶液混合的方法制备银／二氧化硅（Ａｇ／ＳｉＯ２）薄膜材料，并利用扫描电镜（ＳＥＭ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）以及紫外—可见吸收光谱进行了表征。研究了Ａｇ／ＳｉＯ２ 薄膜对硝酸钠水溶液的红外吸收光谱特性的影响。结果表明硝酸根的反对称振动吸收峰随着硝酸钠的浓度提高而变化，这可能与Ａｇ／ＳｉＯ２ 薄膜材料的表面等离子体增强效应和有效表面积增大效应有关。