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中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种压电感应式电子称重的测量电路及其装置
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种自动监测仿真及其并行化处理的方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种虚拟仿真系统中力觉反馈的计算方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：制备微米级分散体的集成芯片及其装置
本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数；确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件；获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度；提取不同温度下的产生‑复合(G‑R)噪声；获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率；基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程；基于Arrhenius方...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种电路级总剂量辐射效应仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 电路级 总剂量 辐射效应 仿真方法
2023/12/7
本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同，总剂量辐射损伤特性不同，进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态，计算晶体管总剂量辐射损伤，实现电路总剂量辐射效应...
本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
中国科学院深圳先进技术研究院专利：集成芯片及其装置;以及制备微米级分散体的方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：高通量微流控细胞芯片
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 高通量 微流控 细胞芯片
2023/12/6
中国科学院深圳先进技术研究院专利：高通量微流控细胞芯片
中国科学院深圳先进技术研究院专利：基于人体信道的通信芯片
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 人体信道 通信芯片
2023/12/6
中国科学院深圳先进技术研究院专利：基于人体信道的通信芯片
本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法，主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量，辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射后与辐射前阈值电压的差值，并依据此方法获得不同辐射剂量下阈值电压的差值，最终计算得到待测晶体管阈值电压的差值随辐射剂量累积的变化曲线。本发明对浮栅器件进行多次编程和擦除，从而大幅提...
本发明提供了一种LDO芯片的辐照测试系统及方法，主要解决通过现有技术测试出的芯片与其实际情况存在较大差异，无法完整、全面的反映芯片真实的抗辐射能力的技术问题。本发明的测试系统包括电源、测试模块、辐照模块及辐射场，其中，电源模块和测试模块位于辐射场外，辐照模块位于辐射场内，可对芯片在辐照过程中的状态进行实时监测，进而获取过程数据；同时，辐照模块可放置N个待测芯片，且各待测芯片相互独立，由此可对待测芯...
本发明涉及一种提升珠状耐高温热敏电阻器抗热冲击性能的封装方法，该方法采用母相玻璃玻璃化转变温度为760?800℃的玻璃陶瓷封装热敏电阻，将玻璃粉粘稠浆料涂覆于珠状热敏电阻表面后，在温度900℃经一次热处理，在转化为玻璃陶瓷的同时形成封装结构，既能够实现封装层在敏感体陶瓷表面的良好浸润，进而形成致密的封装结构，且封装后的热敏电阻器抗热冲击性能显著提高，可耐受室温?900℃热冲击1000次，且零功率电...
本发明涉及一种微波加热用于无机纤维生产的装置和拉丝方法，该装置是由移动式拉丝平台、微波电源、微波屏蔽腔、高温热电偶、控制台、散热风扇、微波发生器、矩形波导、云母薄片、微波谐振腔、保温腔、腔体支架、保温腔上盖、保温腔底座、辅助加热层、拉丝漏板、微波抑制开关、浸润剂涂覆器、卷丝器组成，根据矿物质材料导热性差等特性，对矿物质材料进行更加快速彻底地熔化，使得矿物质材料熔融体温度均匀，熔融体挥发份减少，成份...