搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 仿真”相关记录455条 . 查询时间(0.202 秒)
IGBT在关断过程中所发生的动态雪崩现象是导致其失效的重要原因之一。为研究IGBT动态雪崩失效机理,利用Silvaco软件对其进行仿真分析。通过对动态雪崩击穿机制、电流密度分布和温度分布的仿真分析,得出动态雪崩可以产生移动的电流丝和移动十分缓慢或固定不动的“死丝”。引起器件失效的是动态雪崩形成的死丝,死丝会导致IGBT内局部温度的急剧增加,最终因局部温度过高烧毁器件导致IGBT的失效。在此基础上分...
本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模...
本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
本发明涉及一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真方法，该方法利用TCAD仿真软件，依据器件实际的工艺和结构特性，建立三维仿真结构；通过调用基本物理模型，计算器件基本工作特性；将基本特性仿真结果与试验结果对比，修正仿真中的工艺参数和物理模型中的经验参数，使仿真结果最大程度与试验结果拟合；再增加电离总剂量辐射效应模型，并设置模型和材料参数，计算器件的总剂量辐射损伤特性；将器件辐射损伤特性仿真结果...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种自动监测仿真及其并行化处理的方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种虚拟仿真系统中力觉反馈的计算方法
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种电路级总剂量辐射效应仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 电路级 总剂量 辐射效应 仿真方法
2023/12/7
本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同，总剂量辐射损伤特性不同，进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态，计算晶体管总剂量辐射损伤，实现电路总剂量辐射效应...
本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
2023年9月23日-24日，2023一带一路暨金砖国家技能发展与技术创新大赛之工程仿真创新设计赛项决赛在燕山大学成功举办，燕山大学获得一等奖2项，二等奖2项，三等奖4项和优秀奖4项的历史最好成绩，并获得竞赛支持特别贡献奖。
毁伤快速算法与仿真技术2023年研讨会在长沙召开（图）
研讨会 中国力学学会 毁伤快速算法 仿真技术
2023/8/3
毁伤快速算法与仿真技术2023年研讨会于2023年7月14日-16日在长沙召开。本次会议由国防科技大学理学院、湖南大学土木工程学院、中国力学学会爆炸力学专业委员会计算爆炸力学专业组承办。国防科技大学理学院首席专家戴佳钰、大会主席卢芳云教授、湖南大学陈仁朋副校长出席了会议。中部战区、西北核技研究院、清华大学等61家单位的专家、学者及师生代表220余人参加会议。
近日，浙江大学首届优秀教材奖名单揭晓，共87本教材入选浙江大学首届优秀教材奖。其中浙江大学微纳电子学院何乐年教授编著的《模拟集成电路设计与仿真》获特等奖。热烈祝贺何乐年老师！
助力数字孪生，中国原子能科学研究院实现核设施三维场仿真及实时动态展示（图）
数字孪生 核设施 三维场仿真
2023/7/10
数字化转型是核工业高质量发展的关键内涵。加快数字中国建设，对全面建设社会主义现代化国家，全面推进中华民族伟大复兴具有重要意义和深远影响。近日，原子能院核安全研究所成功建立了基于反应堆厂房内的三维辐射场仿真及实时动态展示方法，可用于在核设施场所内开展设计优化和预测、辐射安全评估、应急响应演练、教育培训等工作，有力提升了现场辐射防护的智能化、安全化水平，为设施运行、检测维修和应急过程中的人员剂量管理，...
中国科学院微电子研究所专利：一种芯片表面形貌仿真的方法及装置
中国科学院微电子研究所 专利 芯片表面 形貌仿真
2023/7/7
中国科学院微电子研究所专利：一种芯片表面形貌仿真的方法及装置
中国科学院微电子研究所专利：提取芯片版图的版图图形特征的方法及CMP仿真方法
后摩尔时代，依靠缩小尺寸提升器件集成度的硅基CMOS技术面临物理原理和工艺技术的挑战。具有高性能、低功耗和低成本优势的Chiplet技术成为延续摩尔定律的重要选择之一。该技术利用先进封装工艺，将多个异构芯片集成为特定功能的系统芯片，从而满足人工智能等领域的应用需求。然而，由于Chiplet异构集成密度大幅增加，热耗散问题对异构系统的可靠性造成挑战。如何针对Chiplet异构集成系统的复杂性，提出新...