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中科院微电子所毫米波GaN功率器件研制成功(图)
中科院微电子所 毫米波GaN功率器件
2010/1/19
微电子所毫米波GaN功率器件研制成功
功率 器件
2010/1/15
近日,毫米波GaN功率器件在微电子研究所微波器件与集成电路研究室(四室)研制成功。该研究项目得到了国家基金委和相关部门的支持。毫米波GaN功率器件采用凹栅槽与T型栅结合的新结构,有效缩短了栅长,降低了寄生电容。其截止频率(fT)104.3GHz,最高振荡频率(fmax)达到160GHz。30G下MAG达到13.26dBm,并进行了30G下的功率测试,是国内目前已知相关研究中的最高频性能。