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中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种含铅四元系负温度系数热敏电阻器
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 铅 四元系 负温度系数 热敏电阻器
2024/1/16
本发明涉及一种含铅四元系负温度系数热敏氧化物粉体合成及电阻器的制备方法，该方法以锰、钴、镍、铅的氧化物为原料，采用氧化物固相法制备粉体材料，粉体经干燥、煅烧、预压成型、烧结、涂烧电极、采用环氧树脂封装后制成负温度系数热敏电阻器，该电阻器具有高B低阻、烧结温度低、稳定性好、精度高的特点，其材料常数为B25/50=3485-4106K，B值允许偏差：±1%，R25℃=70-630Ω，阻值允许偏差：±3...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种高温厚膜热敏电阻的制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 厚膜 热敏电阻
2024/1/15
本发明涉及一种高温厚膜热敏电阻的制备方法，该方法是将硝酸镧、乙酸锰和硝酸铝分别溶解在冰醋酸中，得到纯清溶液，将溶液蒸发得到凝胶，再将凝胶加热、高温晶化，得到热敏粉体，再将热敏粉体和乙基纤维素按照一定的质量比混合、研磨，再将研磨好的粉体和松油醇混合、搅拌得到均匀的厚膜浆料，最后将浆料印刷在Al2O3衬底上、热处理，得到厚膜热敏电阻。制得热敏电阻样品膜厚为25μm，满足电子设备结构的微型化要求，而在8...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种中继式不间断电源
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 中继式 不间断电源
2024/1/15
本实用新型涉及一种中继式不间断电源，该电源是由外置电源、开关、电量显示报警器、电磁继电器、变压模块、充电模块、开关、内置电源、保险管和用电器组成，该电源的外置电源电量充足时保证用电设备正常工作；当外置电源电量不足，电量指示报警器开始报警，此时拆卸外置电源，电磁继电器切换到内置电源供电；更换电量充足的外置电源后，电磁继电器自动切换到外置电源供电，同时外置电源对内置电源进行充电；整个过程用电设备可不间...
本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模...
本实用新型涉及一种可调型电子设备恒电压梯度保护器，该电压梯度保护器是由内置电源、供电测试模块、高低压同步转换模块、显示模块、高压继电器、低压继电器，高压压敏电阻、低压压敏电阻，高压电压比较器和低压电压比较器组成，该保护器桥接于外界电源和用电设备之间，外界电源电压稳定在电压梯度内时保证用电设备正常工作。当外界电源电压过低时，低压压敏电阻发生变化，导致低压电压比较器发生反转，显示模块中的低压信号指示灯...
本发明涉及一种适用于中温区高稳定负温度系数热敏电阻及制备方法，所述热敏电阻是由Co、Mn、Fe、Zn四种金属元素的氧化物组成，经共沉淀法制备、成型、烧结、切片、烧渗电极、划片和封装，即得到适用于中温区高稳定NTC热敏电阻，该电阻标准电阻（25℃电阻）为50‑180KΩ，材料常数为3990K‑4270K。该热敏电阻器件具有适合中温区应用的标准电阻和材料常数，可用于汽车、空调、...
本发明涉及一种基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法，该方法包括筛选p‑i‑n结构的探头，探测器参数调整及确认，在不同放射源下获取探测器响应并标定；根据不同放射源对探头材料的非电离能损NIEL，将探测器响应与不同放射源注量或剂量的关系统一成探测器响应与位移损伤剂量的关系；根据实际探测结果确定损伤增强因子。该方法优势在于其探测的物理量是位移损伤剂量，...
本发明涉及一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法，该方法通过对在轨暗场测试采集到的其中任一幅图进行计算，得到该幅图的背景信号SBG和图像饱和信号Smax，然后统计该幅图中信号灰度值介于2SBG和Smax之间的热像素信号个数，对于单个热像素信号计算其最亮像素的灰度值，统计单个热像素的拖尾信号所占的像素个数，并计算单个热像素所占拖尾像素的灰度值之和，再计算单个热像素信号转移到输出端的转移...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 辐照后 互补金属氧化物 半导体 光子转移曲线 转换增益
2024/1/5
本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体样品、直流电源和计算机组成，通过调整积分球光源的辐照度和测试软件的积分时间，使两者的乘积为互补金属氧化物半导体的饱和输出，并计算辐照后暗场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。在亮场条件下，计算辐照后亮场的平均灰度值和相应的灰度值的时...
本发明属于光电器件测试技术领域，涉及一种提高低温光致发光测试精度的实验方法；该方法中涉及装置是由真空罩、防热辐射屏、待测样品、样品架、凸透镜、滤光片、单色仪、入射激光、光致发光、反射激光和探测器组成，利用防热辐射屏出射角大于90度的出射窗口收集待测样品发出的光致发光，从而达到提高光致发光测试精度的目的。本发明具有操作简单、效率高、提高测试精度、节省测试时间等特点。
本发明公开了一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统，该系统由三维叠层封装SRAM器件，电源模块，单粒子翻转数据分析模块组成，三维叠层封装SRAM器件与单粒子翻转数据分析模块连接，电源模块与三维叠层封装SRAM器件连接，所述三维叠层封装SRAM器件为3层‑10层，三维封装SRAM器件中各层之间需对齐，电源模块对三维叠层封装SRAM器件的各层分别供电，单粒子翻转数据分析模...
本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 模拟电路 单粒子 瞬态效应 测试表征
2023/12/29
本发明公开了一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法，采用SET幅值‑宽度、幅值概率密度及分布、含有触发阈值参数的SET截面三种方法，建立了完整的模拟电路SET表征方法，采用该方法不仅能够描述模拟电路SET的全部特性，而且解决了模拟电路SET阈值不统一的特殊问题。具有SET特性完整、通用性强、可统计量化的特点。
一种基于脉冲激光的模拟电路单粒子瞬态等效方法，基于模拟电路单粒子损伤机制，即重离子和激光入射半导体材料的能量沉积、电荷产生的物理过程，充分考虑电荷收集深度、双光子吸收、参杂浓度等因素的影响，建立了基于有效电荷收集深度内产生等量电荷的等效依据。具有关键信息覆盖全面、精度高、易执行的特点。
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种全无机柔性热敏器件及其制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 全无机 柔性热敏器件
2023/12/29
本发明公开了一种全无机柔性热敏器件及其制备方法，该器件由柔性衬底，沉积于衬底上的缓冲层，沉积于缓冲层上的热敏薄膜，沉积于薄膜上的分形电极及沉积于电极上的绝缘层组成，采用的溅射方法为直流溅射或射频溅射制成，该器件结构简单，质量轻薄，同时薄膜结晶度较好，粗糙度较小，对温度的灵敏度较好，重复性好，操作简单，实现薄膜的较大面积生长，且生长的薄膜均匀性较好。为柔性热敏器件的研究和开发奠定了基础。通过镀膜工艺...