搜索结果: 16-30 共查到“电子科学与技术 中国科学院新疆理化技术研究所”相关记录34条 . 查询时间(0.29 秒)
本发明涉及一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真方法，该方法利用TCAD仿真软件，依据器件实际的工艺和结构特性，建立三维仿真结构；通过调用基本物理模型，计算器件基本工作特性；将基本特性仿真结果与试验结果对比，修正仿真中的工艺参数和物理模型中的经验参数，使仿真结果最大程度与试验结果拟合；再增加电离总剂量辐射效应模型，并设置模型和材料参数，计算器件的总剂量辐射损伤特性；将器件辐射损伤特性仿真结果...
本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境；其次，设计变温室中的样品架及样品夹具板，实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递，设计待测样品的偏置及测试数据传递通路，...
本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数；确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件；获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度；提取不同温度下的产生‑复合(G‑R)噪声；获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率；基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程；基于Arrhenius方...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种电路级总剂量辐射效应仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 电路级 总剂量 辐射效应 仿真方法
2023/12/7
本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同，总剂量辐射损伤特性不同，进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态，计算晶体管总剂量辐射损伤，实现电路总剂量辐射效应...
本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法，主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量，辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射后与辐射前阈值电压的差值，并依据此方法获得不同辐射剂量下阈值电压的差值，最终计算得到待测晶体管阈值电压的差值随辐射剂量累积的变化曲线。本发明对浮栅器件进行多次编程和擦除，从而大幅提...
本发明提供了一种LDO芯片的辐照测试系统及方法，主要解决通过现有技术测试出的芯片与其实际情况存在较大差异，无法完整、全面的反映芯片真实的抗辐射能力的技术问题。本发明的测试系统包括电源、测试模块、辐照模块及辐射场，其中，电源模块和测试模块位于辐射场外，辐照模块位于辐射场内，可对芯片在辐照过程中的状态进行实时监测，进而获取过程数据；同时，辐照模块可放置N个待测芯片，且各待测芯片相互独立，由此可对待测芯...
本发明涉及一种提升珠状耐高温热敏电阻器抗热冲击性能的封装方法，该方法采用母相玻璃玻璃化转变温度为760?800℃的玻璃陶瓷封装热敏电阻，将玻璃粉粘稠浆料涂覆于珠状热敏电阻表面后，在温度900℃经一次热处理，在转化为玻璃陶瓷的同时形成封装结构，既能够实现封装层在敏感体陶瓷表面的良好浸润，进而形成致密的封装结构，且封装后的热敏电阻器抗热冲击性能显著提高，可耐受室温?900℃热冲击1000次，且零功率电...
本发明涉及一种微波加热用于无机纤维生产的装置和拉丝方法，该装置是由移动式拉丝平台、微波电源、微波屏蔽腔、高温热电偶、控制台、散热风扇、微波发生器、矩形波导、云母薄片、微波谐振腔、保温腔、腔体支架、保温腔上盖、保温腔底座、辅助加热层、拉丝漏板、微波抑制开关、浸润剂涂覆器、卷丝器组成，根据矿物质材料导热性差等特性，对矿物质材料进行更加快速彻底地熔化，使得矿物质材料熔融体温度均匀，熔融体挥发份减少，成份...
本发明涉及一种商用VDMOS器件工艺批次信息识别的方法，该方法是由器件参数测试、批量数据统计分析和敏感批次参数确立组成。由于不可控制误差对商用VDMOS器件工艺批次识别的影响的主要因素为：工艺制造过程中的细微波动，会导致不同批次及批次内器件电参数出现差异性。通过对两批次器件开展参数测试试验，基于数据统计分析方法，在同一坐标轴的基础上进行两个批次的分布对比，建立器件参数与工艺批次信息识别的映射关系，...
本发明涉及一种低B值适用于宽温区测温的高灵敏度热敏电阻材料及其制备方法，该热敏电阻以氧化镧、碳酸锶、三氧化二铬和氧化铝为原料，经混合研磨、煅烧、再混合研磨、冷等静压成型、高温烧结工艺、被电极工艺过程，得到具有钙钛矿相LaCrO3的陶瓷热敏电阻，电阻率℃为549.02?113042.65Ωcm、材料常数℃为981.51?1370.09 K和活化能℃为0.0846?0.1181 eV，负温度系数℃为3...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种大口径紫外三倍频器件的制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 紫外 三倍频器件
2023/11/30
本发明涉及一种大口径紫外三倍频器件的制备方法，该方法首先利用Maker条纹法对四氟硼酸胍晶体的倍频系数进行测量，得到2个非零的有效的倍频系数；再用最小偏向角法测定四氟硼酸胍晶体从253nm?2325nm之间11个波长下的主折射率，拟合得Sellmeier方程；依据Sellmeier方程，通过计算机程序，计算得该四氟硼酸胍晶体Ⅰ类或Ⅰ类相位匹配曲线，再结合倍频系数确定该四氟硼酸胍晶体相位匹配点；然后...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种接触式温控器中CaYNbMnO7热敏电阻的冷辅助制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 接触式温控器 CaYNbMnO7 热敏电阻 冷辅助
2023/11/30
本发明公开了一种接触式温控器中CaYNbMnO7热敏电阻的冷辅助制备方法，该方法以原料碳酸钙、三氧化二钇、五氧化二铌和二氧化锰利用冷烧结工艺制备相对致密的CaYNbMnO7陶瓷胚体，然后通过相对较低的烧结温度来促进相转变，并进一步提高CaYNbMnO7热敏陶瓷的致密度，得到CaYNbMnO7的热敏电阻材料。本发明所述方法具有能耗低、烧结时间短等优点，制得的CaYNbMnO7的圆片状高密度陶瓷块体材...
本发明提供一种数字集成电路辐射效应原位测试系统及测试方法，用于解决现有的辐射效应原位测试系统无法实现对数字集成电路的性能和功能进行全面测试的技术问题。测试系统包括驱动单元、采集单元及分析单元；采集单元包括SMU测试模块和至少一个数字向量测试模块，SMU测试模块用于为待测数字集成电路供电并采集待测数字集成电路的功耗电流；数字向量测试模块用于为待测数字集成电路输入电信号激励，并采集待测数字集成电路输出...
本发明涉及一种四氟硼酸胍晶体四倍频器件的制备方法，该方法首先利用Maker条纹法对晶体的倍频系数进行测量，得到2个非零的有效的倍频系数；再用最小偏向角法测定晶体从253nm‑2325nm之间11个波长下的主折射率，拟合得Sellmeier方程；依据Sellmeier方程，通过计算机程序，计算得该晶体Ⅰ或Ⅱ类相位匹配曲线，再结合倍频系数确定该晶体相位匹配点；然后按相位匹配方向对晶体进行切...