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本实用新型涉及一种多波长的紫外发光二极管阵列的刑侦光源，由多波长的紫外发光二极管阵列构成的刑侦光源，其中相同波长的紫外发光二极管阵列由一个电路控制，不同波长的紫外发光二极管阵列由各自不同的电路控制。本实用新型设计的装置体积小、结构紧凑、便携，适合于刑侦现场荧光物质的搜索和辅助取证。
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种大口径紫外三倍频器件的制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 紫外 三倍频器件
2023/11/30
本发明涉及一种大口径紫外三倍频器件的制备方法，该方法首先利用Maker条纹法对四氟硼酸胍晶体的倍频系数进行测量，得到2个非零的有效的倍频系数；再用最小偏向角法测定四氟硼酸胍晶体从253nm?2325nm之间11个波长下的主折射率，拟合得Sellmeier方程；依据Sellmeier方程，通过计算机程序，计算得该四氟硼酸胍晶体Ⅰ类或Ⅰ类相位匹配曲线，再结合倍频系数确定该四氟硼酸胍晶体相位匹配点；然后...
中国科学院微电子研究所专利：亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法
中国科学院微电子研究所 专利 亚波长 极紫外 金属透射光栅
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利：亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法
Silanna UV推出远紫外和深紫外LED新品
Silanna UV 远紫外 深紫外 LED
2022/10/17
近日，澳大利亚UVLED厂商的SilannaUV推出了最新远紫外和深紫外LED封装产品，新品利用了SilannaUV专有的短周期超晶格(SPSL)技术，该技术可为230-265nmLED器件提供高性能表现，包括为235nm器件提供量产产品中最高的输出功率。
半导体深紫外光源的研究在印刷、水净化、医疗、环境保护、高密度的信息储存和保密通讯等领域都有重大应用价值。而以AlGaN合金为有源区的LED的发光波长能够覆盖210-400nm的紫外波段，是实现该波段深紫外LED器件产品的唯一理想材料。同时紫外LED具有其它紫外光源无法比拟的优势。
2022年9月15日，首尔半导体宣布，其UVC消毒技术解决方案Violeds安装在了全球豪华汽车品牌Genesis的座间储物箱中，对乘客物品进行消毒GenesisG90已在2022上半年正式上市，在G90后部的扶手储物箱中配备了UVCLED灯，集成了首尔半导体的violeds消毒技术，为乘客的物品进行消毒，同时也是面对疫情时代所做出的防护准备。据了解，根据汽车型号的不同，储物箱安装了6至12盏LE...
中国科学院半导体研究所赵德刚研究员团队长期致力于GaN基光电子材料外延生长与器件研究。近年来，团队逐步解决了紫外半导体激光器发光效率低、高Al组分AlGaN的p掺杂困难、大失配外延应力调控以及器件自发热等一系列关键问题，在紫外半导体激光器研制方面取得了一系列重要进展。2016年实现了国内第一支GaN基紫外半导体激光器的电注入激射。2022年研制出激射波长为384nm、室温连续输出功率为2W的大功率...
氮化镓（GaN）材料被称为第三代半导体材料，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。其中GaN基紫外半导体激光器具备波长短、光子能量大的特点，在消毒杀菌、病毒检测、激光加工、紫外固化和短距离光通信等领域具有重要应用，一直是国际相关领域的研究热点和技术难点。但由于该激光器是基于大失配异质外延材料技术制备而成，导致其缺陷多、发光效率低，器件研制难度大。
近期，中国科大微电子学院孙海定和龙世兵课题组关于利用蓝宝石衬底斜切角调控量子阱实现三维载流子束缚，突破了紫外LED发光性能的重要进展。相关研究以“Unambiguously Enhanced Ultraviolet Luminescence of AlGaN Wavy Quantum Well Structures Grown on Large Misoriented Sapphire Subst...
最近，中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学纳米化学研究中心、北京石墨烯研究院刘忠范团队合作，开发出了石墨烯/蓝宝石新型外延衬底，并提出了等离子体预处理改性石墨烯，促进AlN薄膜生长实现深紫外LED的新策略。通过DFT计算发现，等离子体预处理向石墨烯中引入的吡咯氮，可以有效促进AlN薄膜的成核生长。在较短的时间内即可获得高品质AlN薄膜，其具有低应力、较低的位错密度，深紫外LED器件表现出了...
“第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术”项目启动会召开
第三代半导体紫外探测材料 器件 III族氮化物 以碳化硅 宽禁带半导体
2016/10/31
2016年10月30日，国家重点研发计划项目“第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术”启动会在南京大学鼓楼校区召开，科技部高技术中心材料处史冬梅处长，南京大学潘毅副校长、郑有炓院士，西安电子科技大学郝跃院士，中国科学院长春光机所王立军院士，以及有关专家和项目参与人员共计40余人与会。会议由项目负责人、南京大学教授陆海主持。
上海深紫外自由电子激光偏振控制实验研究取得进展（图）
深紫外 自由电子 激光偏振
2014/3/11
中国科学院上海应用物理研究所自由电子激光团队于近日完成了一项新的自由电子激光实验，在上海深紫外自由电子激光实验装置（SDUV-FEL）上，国际首次利用交叉平面波荡器，实现了自由电子激光脉冲偏振态的任意调控。研究成果发表于国际加速器领域杂志Physical Review Special Topics: Accelerator & Beams（Phys. Rev. ST-AB17 (2014) 020...
Cs量与Cs2Te光阴极紫外-可见光抑制比关系研究
紫外-可见光抑制比 Cs2Te 紫外光阴极 日盲
2013/7/5
紫外-可见光抑制比是决定全天时紫外探测成像系统信噪比的一个重要参数。为了研究激活时Cs 量对Cs2Te 紫外光阴极紫外-可见光抑制比（S280 nm/S320 nm）的影响，利用三组不同Cs 量的多次激活实验，通过分别对比紫外-可见光抑制比结果和200~400 nm 的光谱响应曲线，得到不同Cs 量激活的Cs2Te 光阴极其紫外-可见光抑制比在4.0~7.6 之间变化。随着Cs 量的增大，紫外光阴...