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本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模...
电子科技大学微电子器件课件3-5 双极晶体管的反向特性。
电子科技大学微电子器件课件3-4 双极晶体管的直流电流电压方程。
西安电子科技大学微电子学院半导体器件物理课件 集成电路中的双极晶体管。
西安电子科技大学微电子学院半导体器件物理课件 双极晶体管模型
西安电子科技大学微电子学院 半导体器件物理 课件 双极晶体管模型
2014/11/18
西安电子科技大学微电子学院半导体器件物理课件 双极晶体管模型。
西安电子科技大学微电子学院双极型器件物理课件 双极晶体管功率特性。
西安电子科技大学微电子学院双极型器件物理课件 双极晶体管模型
西安电子科技大学微电子学院 双极型器件物理 课件 双极晶体管模型
2014/11/17
西安电子科技大学微电子学院双极型器件物理课件 双极晶体管模型。
绝缘栅型双极晶体管串联匀压并联匀流模拟分析
绝缘栅型双极晶体管 匀压 匀流
2009/11/26
绝缘栅型双极晶体管(IGBT)采用串联和并联方法构成大功率开关组件能够有效提高工作电压和电流，是实现开关重频高功率应用的主要技术途径，同时也存在着动、静态的匀压、匀流问题。从电路层面详细分析了IGBT串并联运行时导致电压、电流不均衡的主要原因及其表现，研究了动静态不均衡的发展过程及其影响因素，针对性地提出了电阻/电容/二极管（RCD）缓冲网络及电流平衡变压器等匀压、匀流措施，解析推导出了IGBT串...
双极晶体管的1/f噪声参数fL和γ的测量提取——噪声电流谱测量法
噪声测量 1/f噪声 fL和γ参数
2009/9/23
晶体管低频噪声主要是1/f噪声,其参数fL和γ的测出,不仅对低频低噪声设计,而且对于研究半导体噪声机理以及应用它来分析半导体内部缺陷或表面清洁处理情况都有着重要意义。本文给出了双极晶体管的1/f噪声参数的测量方法、系统及实例,获得了已有噪声测量系统所不能给出的参数。