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半导体器件存在缺陷态等无序因素,其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂,准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是本领域内的难点和重点。
半导体器件存在缺陷态等无序因素,其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂,准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是领域内的难点和重点。
由于半导体器件广泛存在缺陷态等无序因素,其载流子的输运往往表现为跃迁形式。因半导体中的缺陷态种类较为复杂,准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性一直是本领域内的难点及重要话题。
近日,应校长叶美兰教授邀请,微电子科学技术、半导体器件物理专家、美国国家工程院院士施敏教授来我校访问并开展学术交流活动。5月18日上午,施敏院士受聘我校名誉教授仪式在三牌楼校区科学会堂第一报告厅举行。校党委书记刘陈教授向施敏院士颁发聘书,并为其佩戴南京邮电大学校徽。中国科学院院士、南京大学祝世宁教授,台湾明新科技大学顾鸿寿教授,安徽大学陈军宁教授及我校人事处、通信与信息工程学院、国家“111”计划...

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