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低温退火对HgCdTe中波光导器件γ辐照效应的影响
HgCdTe 退火 辐照效应
2009/2/19
研究了低温退火对HgCdTe中波光导探测器γ射线辐照效应的影响。经过剂量为1 Mrad的辐照后，器件的性能下降。对经过辐照的器件进行低温退火，退火温度范围为313～333 K，退火时间在5~16 h之间不等。在相同条件下测量了器件辐照前后及不同退火温度、不同退火时间下的体电阻、响应率、探测率和响应光谱。通过对比辐照前后及不同退火温度下性能参数的变化，分析了退火对器件的γ辐照效应的影响。实验表明：低...