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中国科学院高能物理研究所专利：现场可编程门阵列器件自重配置装置及方法
中国科学院高能物理研究所 专利 可编程 门阵列器件 自重配置
2023/8/12
中国科学院高能物理研究所专利：现场可编程门阵列器件自重配置装置及方法
苏州纳米所张其冲等合作AM综述：智能织物中的纤维交错器件（图）
张其冲 智能织物 纤维 器件
2023/7/19
智能电子织物融合了电子工程与纺织工程领域的前沿技术成果，为人们提供更加智能化和便捷的生活体验。当前报道的大量智能电子织物中，许多都采用纤维交错（Fiber Crossbar，以下用“FC”指代）结构作为其基本单元。这种结构由两根纤维交叉构成，并在交错点处构成某种电子器件（图1）。当外部刺激（如电流）通过时，纤维交错点的某些特性（如电阻、电容）会发生变化，从而对外部刺激做出响应。FC结构是实现智能可...
中国科学院微电子研究所专利：半导体存储单元、器件及其制备方法
中国科学院微电子研究所 专利 半导体存储 器件
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利：半导体存储单元、器件及其制备方法
中国科学院微电子研究所专利：具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法
中国科学院微电子研究所专利：一种垂直沟道型三维半导体存储器件及其制备方法
中国科学院微电子研究所专利：用于双极型阻变存储器交叉阵列集成方式的选通器件单元
中国科学院物理研究所专利：磁性多层膜结构、磁存储器、自旋逻辑器件和电子设备
中国科学院物理研究所专利：一种电磁转换器件以及包含这种电磁转换器件的信息存储器
中国科学院微电子研究所在自旋神经形态器件方面获进展（图）
自旋 神经形态 器件
2023/3/29
生物启发脉冲神经网络架构有望通过模拟人脑的高算力、高并行度、低功耗等特性，解决冯·诺依曼架构存储墙和能效瓶颈等问题。然而，面向构建脉冲神经网络的神经形态硬件的研究尚处于探索阶段，基于传统CMOS的神经形态芯片通常需要数十个晶体管和若干电容；基于新型存储器等新原理神经元器件亦需集成额外电容或复位操作电路，且耐久性受限，难以满足高频神经元器件的信息整合处理需求。自旋电子器件具有高能效、高耐久性及更丰富...
首次实现读写对称的自旋存内计算器件（图）
读写对称 自旋存内 计算器件
2022/12/9
基于电子自旋的磁随机存储器具有非易失性、超长耐久度、超快读写速度和超低功耗等优点，被视为是未来实现新型存储和计算的潜在技术之一。目前，磁随机存储器的构筑主要依赖于垂直磁各向异性的磁隧穿结单元。器件磁状态的写入依赖于自旋转移转矩或者外加磁场辅助的自旋轨道转矩，而器件磁状态的读取则需要利用隧穿磁电阻效应。这种不对称的读写方式以及外加磁场的辅助极大地限制了器件的功耗降低、级联与小型化。构筑新型的自旋电子...
近日，中国科学院深圳先进技术研究院先进集成技术研究所神经工程研究中心与德国马克思-普朗克聚合物研究所有机电子研究团队合作，在《科学进展》(Science Advances)上，发表了题为An artificial remote tactile device with 3D depth-of-field sensation的研究论文。