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搜索结果: 1-14 共查到计算机科学技术 器件相关记录14条 . 查询时间(0.165 秒)
中国科学院高能物理研究所专利:现场可编程门阵列器件自重配置装置及方法
中国科学院微电子研究所专利:一种半导体存储器件
中国科学院微电子研究所专利:半导体存储单元、器件及其制备方法
中国科学院微电子研究所专利:具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法
中国科学院微电子研究所专利:一种垂直沟道型三维半导体存储器件及其制备方法
中国科学院微电子研究所专利:用于双极型阻变存储器交叉阵列集成方式的选通器件单元
中国科学院微电子研究所专利:存储器件及其制造方法和存取方法
中国科学院微电子研究所专利:FLASH器件及其制造方法
中国科学院物理研究所专利:一种电磁转换器件以及包含这种电磁转换器件的信息存储器
生物启发脉冲神经网络架构有望通过模拟人脑的高算力、高并行度、低功耗等特性,解决冯·诺依曼架构存储墙和能效瓶颈等问题。然而,面向构建脉冲神经网络的神经形态硬件的研究尚处于探索阶段,基于传统CMOS的神经形态芯片通常需要数十个晶体管和若干电容;基于新型存储器等新原理神经元器件亦需集成额外电容或复位操作电路,且耐久性受限,难以满足高频神经元器件的信息整合处理需求。自旋电子器件具有高能效、高耐久性及更丰富...
基于电子自旋的磁随机存储器具有非易失性、超长耐久度、超快读写速度和超低功耗等优点,被视为是未来实现新型存储和计算的潜在技术之一。目前,磁随机存储器的构筑主要依赖于垂直磁各向异性的磁隧穿结单元。器件磁状态的写入依赖于自旋转移转矩或者外加磁场辅助的自旋轨道转矩,而器件磁状态的读取则需要利用隧穿磁电阻效应。这种不对称的读写方式以及外加磁场的辅助极大地限制了器件的功耗降低、级联与小型化。构筑新型的自旋电子...
随着人工智能、物联网以及智慧医疗等新型信息交互领域的发展,基于传统冯诺依曼架构的计算机系统以及工艺迭代带来的算力提升已经越来越难以满足数据处理及复杂神经网络模型运算的需求。神经形态器件作为一种模拟人脑的高效低功耗的信息处理模型在信息处理方面具有天然的优势。目前,以忆阻器为代表的人工突触器件已经被广泛的应用于神经形态计算,并构建多种类型的神经网络。然而,传统的人工突触器件存储的权重固定,重新部署费时...
受制于传统冯诺依曼架构下“存储墙”问题,芯片的算力难以进一步提升,限制了大数据以及人工智能等新兴信息技术产业的发展。存内计算是非冯诺依曼架构下提高芯片算力的一种有效途径,基于铁电晶体管(Fe-FET)的存算融合电路由于具有低功耗、高CMOS兼容性以及无损读出等优点,被认为是极具潜力的一种存内计算的技术方向。现已报道的Fe-FET存算电路多为单模机制。实现逻辑门电路往往需要多器件集成,或外围电路辅助...

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