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中国科学院微电子研究所专利：半导体存储单元、器件及其制备方法
中国科学院微电子研究所 专利 半导体存储 器件
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利：半导体存储单元、器件及其制备方法
中国科学院微电子研究所专利：具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法
中国科学院微电子研究所专利：一种垂直沟道型三维半导体存储器件及其制备方法
中国科学院微电子研究所专利：用于双极型阻变存储器交叉阵列集成方式的选通器件单元
中国科学院物理研究所专利：磁性多层膜结构、磁存储器、自旋逻辑器件和电子设备
中国科学院物理研究所专利：一种电磁转换器件以及包含这种电磁转换器件的信息存储器
首次实现读写对称的自旋存内计算器件（图）
读写对称 自旋存内 计算器件
2022/12/9
基于电子自旋的磁随机存储器具有非易失性、超长耐久度、超快读写速度和超低功耗等优点，被视为是未来实现新型存储和计算的潜在技术之一。目前，磁随机存储器的构筑主要依赖于垂直磁各向异性的磁隧穿结单元。器件磁状态的写入依赖于自旋转移转矩或者外加磁场辅助的自旋轨道转矩，而器件磁状态的读取则需要利用隧穿磁电阻效应。这种不对称的读写方式以及外加磁场的辅助极大地限制了器件的功耗降低、级联与小型化。构筑新型的自旋电子...
受制于传统冯诺依曼架构下“存储墙”问题，芯片的算力难以进一步提升，限制了大数据以及人工智能等新兴信息技术产业的发展。存内计算是非冯诺依曼架构下提高芯片算力的一种有效途径，基于铁电晶体管（Fe-FET）的存算融合电路由于具有低功耗、高CMOS兼容性以及无损读出等优点，被认为是极具潜力的一种存内计算的技术方向。现已报道的Fe-FET存算电路多为单模机制。实现逻辑门电路往往需要多器件集成，或外围电路辅助...
近日，2020年度中国科学院信息化应用优秀案例揭晓，中国科学院国家空间科学中心（以下简称“空间中心”）元器件管理系统获评“2020年度信息化应用优秀案例”荣誉称号。在承担型号任务的重点实验室的大力支持下，资产条件处和文献信息部从2018年起，持续开展元器件管理系统的需求设计和研发工作，经过2年的不懈努力，系统于2019年10月正式上线运行。该系统对空间中心承担型号任务所使用的元器件、部组件、原材料...
“后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划面向芯片自主发展的国家重大战略需求，以芯片的基础问题为核心，旨在发展后摩尔时代新器件和计算架构，突破芯片算力瓶颈，促进我国芯片研究水平的提升，支撑我国在芯片领域的发展与创新。
《科学》刊发最新成果：相变存储异质结器件突破神经元计算协同性瓶颈（图）
相变存储 异质结器件 神经元计算
2019/8/23
北京时间2019年8月23日，美国《科学》杂志在线发表了西安交通大学与深圳大学、美国约翰霍普金斯大学的合作论文《超低噪声与漂移的相变异质结存储器》（Phase-change heterostructure enables ultralow noise and drift for memory operation）。随着人工智能、大数据、超级计算机的迅猛发展，要求传统商用计算体系架构更加低功耗、高效...