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中国科学院微电子研究所专利：一种具有自整流特性的阻变存储器及其制备方法
中国科学院微电子研究所专利：具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法
中国科学院微电子研究所专利：用于双极型阻变存储器交叉阵列集成方式的选通器件单元
中国科学院微电子研究所专利：一种测量阻变存储器激活能的方法
中国科学院微电子研究所 专利 测量阻变 存储器 激活能
2023/7/5
中国科学院微电子研究所专利：一种测量阻变存储器激活能的方法
近日，2018国际电子器件大会（IEDM）在美国旧金山召开。会上，中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员刘明团队展示了28纳米嵌入式阻变存储器可靠性优化以及基于HfZrO铁电FinFET器件的最新研究成果。对于新型存储器RRAM，初始电形成过程会增加电路设计复杂度，带来可靠性问题，一直是工业界和科研界研究的热点。刘明团队在RRAM方向的研究具有丰富的经验，针对28纳米的1Mb RRAM测试芯...
清华大学微纳电子系任天令团队在极低功耗阻变存储器研究取得重要进展（图）
清华大学微纳电子系 任天令团队 极低功耗 阻变存储器
2017/12/13
2017年12月4日，清华大学微纳电子系任天令教授团队在《美国化学学会·纳米》（ACS Nano）上发表了题为《面向神经计算应用基于机械剥离二维钙钛矿材料的极低工作电流阻变存储器》（“Extremely Low Operating Current Resistive Memory Based on Exfoliated 2D Perovskite Single Crystals for Neuro...
2015年10月26日，清华大学微电子所任天令教授课题组在《先进材料》 （Advanced Materials）在线发表了题为《存储窗口实时可调的的新型栅控双层石墨烯阻变存储器》（“In Situ Tuning of Switching Window in a Gate-Controlled Bilayer Graphene-Electrode Resistive Memory Device”）的...