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中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 模拟电路 单粒子 瞬态效应 测试表征
2023/12/29
本发明公开了一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法，采用SET幅值‑宽度、幅值概率密度及分布、含有触发阈值参数的SET截面三种方法，建立了完整的模拟电路SET表征方法，采用该方法不仅能够描述模拟电路SET的全部特性，而且解决了模拟电路SET阈值不统一的特殊问题。具有SET特性完整、通用性强、可统计量化的特点。
一种基于脉冲激光的模拟电路单粒子瞬态等效方法，基于模拟电路单粒子损伤机制，即重离子和激光入射半导体材料的能量沉积、电荷产生的物理过程，充分考虑电荷收集深度、双光子吸收、参杂浓度等因素的影响，建立了基于有效电荷收集深度内产生等量电荷的等效依据。具有关键信息覆盖全面、精度高、易执行的特点。
模拟集成电路基础与带隙基准设计课程培训顺利开展（图）
集成电路 带隙基准 课程培训
2023/10/25
2023年10月18-20日，由深圳市高新技术产业促进中心（国家集成电路设计深圳产业化基地）组织的模拟集成电路基础与带隙基准设计课程培训在深圳软件园顺利举办。本次培训邀请拥有丰富高性能IC芯片设计经验的井凯博士授课，共吸引近40位模拟集成电路设计工程师、研发人员以及相关领域从业者参加。
2023年9月20-21日，教育部慕课西行推进会在延安大学举行，旨在实现教育资源共享，推动教育公平。教育部副部长吴岩到会，发表“推进教育数字化资源共享”的主旨演讲，并观摩了示范课。
近日，浙江大学首届优秀教材奖名单揭晓，共87本教材入选浙江大学首届优秀教材奖。其中浙江大学微纳电子学院何乐年教授编著的《模拟集成电路设计与仿真》获特等奖。热烈祝贺何乐年老师！
300mm大硅片是集成电路制造不可或缺的基础材料，对整个集成电路产业的发展起着关键支撑作用。针对我国集成电路制造行业对低氧高阻、近零缺陷等硅片产品的迫切需求，亟需解决大直径、高质量硅单晶晶体生长技术中的氧杂质输运、晶体缺陷调控等基础科学问题，进而开发大直径单晶晶体生长技术，实现特定的晶体杂质、缺陷的人工调控，满足射频、存储等领域的应用需求。
近日，国家自然科学基金委员会公布“模拟集成电路敏捷设计方法与关键技术”专项项目评审结果，我院陈全助理教授申报的“基于指数积分的模拟电路后仿真加速方法研究”项目获批，立项金额50万元，为期2年。
近日，南方科技大学深港微电子学院助理教授潘权课题组在AFE方向取得突出成果，课题组本科生李正浩、唐敏哲、樊泰扬采用TSMC 40nm CMOS工艺，设计了一款基于四电平脉冲幅度调制(4-Level Pulse Amplitude Modulation)传输方式的单通道56Gb/s高速SerDes模拟前端芯片。芯片测试成功后，在误码率、调节范围、稳定峰值、固定带宽方面有显著的优势。相关成果以“A 5...
大连海洋大学2021年研究生复试考试915模拟电子技术大纲。
成都信息工程大学2021年硕士研究生入学考试自命题模拟电子线路考试大纲。
成都信息工程大学2021年硕士研究生入学考试复试自命题模拟电子技术综合考试大纲。
模拟集成电路以无线传感网络（WSN）节点芯片和系统为研究对象，包括WSN节点芯片、应用系统和平台、模式识别三个方向。
山东科技大学电子通信与物理学院2019年硕士研究生自命题模拟电子技术试题。