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γ脉宽对电子器件瞬时辐照效应的影响
脉冲宽度 辐射效应 剂量率
2009/9/29
采用了2种γ脉冲辐射源，在脉冲宽度分别约为20，50，150 ns，剂量率为106～109 Gy(Si)·s-1下,对5种不同类型的电子器件进行了辐照试验并对其辐照响应进行了分析，比较了不同脉冲宽度条件下辐照响应的差异。实验结果表明：脉冲宽度是影响瞬时辐照效应的重要因素，γ脉冲宽度越宽，辐照响应越强，分离器件比集成电路受脉宽的影响更明显。
静态随机访问存储器型现场可编程门阵列辐照效应测试系统研制
现场可编程门阵列 辐照效应 测试系统
2009/8/21
在调研静态随机访问存储器型现场可编程门阵列(FPGA)器件空间辐照效应失效机理的基础上，详细论述FPGA辐照效应测试系统内部存储器测试、功能测试及功耗测试的实现原理,给出了系统的软硬件实现方法。所建立的系统可以测试FPGA器件的配置存储器翻转截面、块存储器翻转截面、功能失效截面、闭锁截面等多个参数，其长线传输距离达到50 m以上，最大可测门数达到了100万门,为FPGA辐照效应研究提供了测试平台。
6H－SiC MOS结构电特性及其辐照效应的研究
SiC MOS结构 辐照 平带电压
2009/3/26
对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究。结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结构的漏电流,当幅照栅偏压为高的正电压时,电离幅照对SiC MOS电容的影响会更明显,SiC MOS器件比Si器件具有好的抗γ辐照的能力,在58kGy(Si)的辐照剂量下,其平带电压漂移不超过2V。
大规模集成电路中子和γ射线综合电离辐照效应研究
单片机系统芯片 中子 电离辐照效应
2009/2/20
研究了反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺大规模集成电路的电离辐照效应。通过对80C196KC20和PSD501B1两种不同芯片在该环境下开展综合辐照试验，发现总的静态电流增长不明显。对试验结果综合分析得出：在反应堆的综合辐照环境下，中子电离效应较弱，并且由于中子位移效应引起载流子迁移率降低和载流子浓度降低，使得总的静态电流下降，从而抵消中子和γ射线综合电离导致的静态电流增长。
低温退火对HgCdTe中波光导器件γ辐照效应的影响
HgCdTe 退火 辐照效应
2009/2/19
研究了低温退火对HgCdTe中波光导探测器γ射线辐照效应的影响。经过剂量为1 Mrad的辐照后，器件的性能下降。对经过辐照的器件进行低温退火，退火温度范围为313～333 K，退火时间在5~16 h之间不等。在相同条件下测量了器件辐照前后及不同退火温度、不同退火时间下的体电阻、响应率、探测率和响应光谱。通过对比辐照前后及不同退火温度下性能参数的变化，分析了退火对器件的γ辐照效应的影响。实验表明：低...
无线电引信的超宽谱辐照效应及其防护
无线电引信 超宽谱 辐照效应 耦合机理
2009/2/7
探讨了超宽谱高功率微波对无线电引信的辐照效应、耦合机理和防护方法。利用超宽谱高功率微波辐照源对多姿态的无线电引信进行了辐照实验并对结果进行了分析，实验表明当引信和弹体的轴向与超宽谱高功率微波的电场极化方向一致时，引信最容易被引爆，辐照效应最明显。通过理论分析和辐照实验找出超宽谱高功率微波能量耦合机理为：引信和弹体上感应的瞬变电压通过引信电源电路传递到执行电路，瞬变电压上升率超过了电路中晶闸管...
在L波段使用1.3 GHz载波频率的微波脉冲辐照微型计算机主板，通过改变脉冲宽度、重复频率和脉冲串长度等参数，实验研究了微波脉冲辐照导致微型计算机失去响应的功率阈值的变化规律，讨论了L波段微波脉冲辐射的积累效应。实验结果表明：当微波脉冲宽度增加时，微波功率阈值下降；当微波脉冲重复频率升高时，微波功率阈值呈下降趋势；在固定重复频率的条件下，微波脉冲数目的增加也会导致微波功率阈值的下降；微波脉冲功率阈...
微波辐照频率为1.2~2.0 GHz时，利用宽带天线对微型计算机主板进行微波辐照，考察了微波辐照载波频率、调制方式和调制深度对微波辐照效应的影响，得到了计算机分别处于满负荷工作、内存读写操作、磁盘读写操作和系统空闲4种工作状态下的微波辐照干扰功率阈值。实验结果表明：微波辐照的载波频率为1.47 GHz时，辐照干扰功率阈值最低,为32.7 dBm，计算机最易被干扰；瞬时功率是干扰微型计算机的关键参数...