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搜索结果: 1-8 共查到电子科学与技术 化学机械相关记录8条 . 查询时间(0.306 秒)
中国科学院微电子研究所专利:一种化学机械平坦化的方法
中国科学院微电子研究所专利:化学机械研磨去除率计算的方法及设备
中国科学院微电子研究所专利:提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法
中国科学院微电子研究所专利:浅沟槽隔离化学机械平坦化方法
中国科学院微电子研究所专利:一种化学机械抛光模拟方法
该发明属于一种抛光液,特别设计一种超大规模集成电路多层同步先用化学机械全局平面化抛光液。随着电子技术的发展,超大规模集成电路芯片集成度已高达几十个亿个元件,特征尺寸已进入纳米级,这就要求微电子工艺中的近百道工序,尤其是多层步险、沉底、介质必须进行化学机械全局平面化,而化学机械抛光已被证明是尊号的平整方法,为保证铜步线与介质的选择性,目前超大规模集成电路芯片多层不线,抛光后的铜离子及表面吸附物易...
该课题为IC制造,成果不但在理论技术上具有重大创新,还具有很高的经济社会效益。应用该研究成果很好的解决了在硅片磨削工艺中,速率低、损伤大、破损率高的这一技术难题,实现了高速率(提高10~30%)、低损伤、低应力,有效控制微裂、破边等损伤,同时增加了磨盘寿命,降低了Fe离子粘污并且易于清洗,使产品合格率提高到97%,极大的提高了生产效率和产品合格率,在巨大的市场容量下可取得可观的经济效益。
主要内容:对国际上微电子技术发展的亟待解决的关键技术、衬底与立体结构多层布线的高平整、低损伤、高光洁、低沾污要求进行了理论及试验研究,并分别获得关键理论与技术突破。实现了铜抛光的低损伤(<10nm),高速率600nm/min,高选择(介质:铜=1:10),使Cu^(2+)和抛光产物粒子有效消除,达到国际领先水平。项目意义:ULSI多层布线Cu、介质、衬底化学机械全局平面化(CMP),固体表面吸附的...

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