搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 硅”相关记录211条 . 查询时间(1.167 秒)
中国科学院上海微系统所等开发出可批量制造的新型光学“硅”与芯片技术（图）
光子芯片 集成电路 薄膜
2024/5/9
2024年5月8日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关研究成果以《可批量制造的钽酸锂集成光子芯片》（Lithium tantalate photonic integrated circuits for volume manufacturing）为题，发表在《自然》（Nature）上。
本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：具有硅通孔结构的半导体器件
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 硅通孔结构 半导体器件
2023/11/16
中国科学院深圳先进技术研究院专利：具有硅通孔结构的半导体器件
中国科学院深圳先进技术研究院专利：对硅通孔进行动态规划布线的方法
上海硅酸盐所在碳化硅陶瓷增材制造研究方面取得新进展（图）
碳化硅陶瓷 电子半导体
2023/9/27
碳化硅（SiC）陶瓷结构件在各类新应用场景的需求正在逐渐增多，其中包括核工业领域的大尺寸复杂形状SiC陶瓷核反应堆芯；集成电路制造关键装备光刻机的SiC陶瓷工件台、导轨、反射镜、陶瓷吸盘、手臂等；新能源锂电池生产配套的中高端精密SiC陶瓷结构件；光伏行业生产用扩散炉配套高端精密SiC陶瓷结构件和电子半导体高端芯片生产制程用精密高纯SiC陶瓷结构件。但是由于SiC 是Si-C键很强的共价键化合物，硬...
高塔半导体与旭创合作开发多代硅光收发器
高塔半导体 旭创 硅光收发器
2023/9/19
在CIOE2023期间，，高价值模拟半导体代工解决方案的领导者Tower Semiconductor(“高塔半导体”或“高塔”)(纳斯达克/特拉维夫证交所：TSEM)和数据中心光学的领导者旭创科技（“旭创”），宣布合作开发基于高塔硅光工艺平台(PH18)的多代高速光收发器。随着生产的进行，这一战略合作伙伴关系有望实现尖端的解决方案，以支持人工智能、数据中心和下一代电信网络日益增长的需求。根据市场调...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：绝缘层用组合物及在硅晶圆的硅通孔上制备绝缘层的方法
中国科学院高能物理研究所专利：一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法
中国科学院高能物理研究所 专利 硅衬底 表面 光刻胶
2023/8/9
中国科学院高能物理研究所专利：一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法
本书分别论述了第一章，总论；第二章，国内外硅产业发展环境与发展前景分析；第三章，东海城镇硅产业发展的SWOT分析与亟待解决的现实问题；第四章，城镇硅产业发展定位与发展思路及目标；第五章 城镇硅产业整合发展重点与硅产业链的培育；第六章 城镇硅产业的整合发展布局与硅产业集中区建设；第七章 城镇水晶产业发展与水晶市场建设；第八章 城镇硅产业发展重点项目的规划论证；第九章 保障配套措施与政策建议等内容。
题目：后摩尔时代高速通信-高速电以及硅光互联芯片设计。时间：2023年8月7日（周一）上午10:00。地点：国际校区B1-c101。主讲人：朱渊明。报告内容：高速互联是构建现代超算系统的核心技术之一。随着人工智能/机器学习（AI/ML），5G和云计算等技术的普及，海量数据的产生和处理对互联带宽提出了更高的要求。然而，传输介质的带宽仍然受材料限制，导致高速信号在传输过程中产生衰减，限制了通信带宽的提...
中国科学院化学研究所专利：在含有疏水性的硅柱的硅片表面构筑微电极对阵列的方法