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搜索结果: 1-2 共查到“电子科学与技术 硅片表面”相关记录2条 . 查询时间(0.129 秒)
中国科学院化学研究所专利：在含有疏水性的硅柱的硅片表面构筑微电极对阵列的方法
利用快中子辐照在p型硅片中产生辐照缺陷,利用其作为热处理时硅中氧沉淀的成核中心,在硅片表面层形成洁净区和在体内形成吸杂区,能有效地抑制硅片表面氧化雾缺陷的形成.提出了较为实用的退火工艺和简单的解释.

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