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中国科学院高能物理研究所专利：一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法
中国科学院高能物理研究所 专利 硅衬底 表面 光刻胶
2023/8/9
中国科学院高能物理研究所专利：一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法
中国科学院高能物理研究所专利：一种用于LIGA技术的光刻胶膜与基片的复合结构的制备方法
中国科学院微电子研究所专利：降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法
中国科学院微电子研究所 专利 电子束光刻 光刻胶 粗糙度
2023/7/6
中国科学院微电子研究所专利：降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法
光刻是一种高精度制造技术，广泛应用于半导体行业。基于光刻的硅基电子制造工艺已达到5纳米技术节点，单颗芯片上晶体管数量已达百亿级。相比之下，基于溶液法加工的有机电子学微型化远远落后于硅基电子学。现有印刷有机电路的晶体管密度往往只有60 units cm-2。通过光刻加工有机电路所有部件（如有机半导体、电介质和导体）的全光刻工艺方案无疑是推进有机电子学微型化和高密度集成的有效手段。
“Ni–Zn铁氧体颗粒–光刻胶”覆盖的 片上射频电感
铁氧体 电感 射频集成电路
2010/3/31
报道了采用新型“纳米颗粒–光刻胶”混合旋涂技术制作的片上射频Ni-Zn铁氧体磁膜微电感。成相良好的Ni0.3Zn0.6Cu0.1Fe2O4铁氧体纳米颗粒在光刻胶中均匀混合，再将该混合物涂覆在螺旋电感线圈上，实现电感性能的提升。这种新型低温工艺避免了常规制作铁氧体器件方法带来的高温处理（>600°C）对集成电路的破坏。与无磁膜覆盖样品对比，铁氧体覆盖电感的电感量在0.1-4GHz提升了14-27%。...