搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 功率器件”相关记录22条 . 查询时间(0.122 秒)
本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数；确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件；获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度；提取不同温度下的产生‑复合(G‑R)噪声；获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率；基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程；基于Arrhenius方...
芯生代科技发布面向HEMT功率器件的850V大功率氮化镓外延产品（图）
芯生代科技 HEMT 功率器件 氮化镓
2023/11/15
2023年11月10日，温州芯生代科技有限公司在2023世界青年科学家峰会上隆重发布了面向高电压大电流HEMT功率器件应用的850V Cynthus系列硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延产品。行业客户、知名投资机构争相了解合作。
中国科学院微电子研究所专利：一种宽禁带功率器件场板的制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 宽禁带 功率器件 场板
2023/7/5
中国科学院微电子研究所专利：一种宽禁带功率器件场板的制造方法
长飞光纤光缆股份有限公司拟投资60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目
长飞光纤 第三代 半导体 功率器件
2023/7/3
2023年6月26日，长飞光纤光缆股份有限公司（以下简称“长飞光纤”）发布公告，其子公司安徽长飞先进半导体有限公司（以下简称“长飞先进半导体”）拟投资人民币60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目。其中，长飞光纤拟出资人民币28,100.00万元。
硅基氮化镓横向功率器件因其低比导通电阻、高电流密度、高击穿电压和高开关速度等特性，已成为下一代高密度电力系统的主流器件之一，而且在电子消费产品中得到大规模应用。由于硅基氮化镓横向功率器件电气可靠性十分有限，主要表现在硬开关工作环境中的动态电阻退化效应，这给其在寿命要求较长的领域（如数据中心、基站等电源系统）应用带来了挑战，阻碍了其在ICT电源等大功率领域中的大规模应用。
中国科学院微电子所在硅基氮化镓横向功率器件的动态可靠性研究方面取得新进展（图）
硅基氮化镓 电力系统 功率器件
2023/5/30
硅基氮化镓横向功率器件因其低比导通电阻、高电流密度、高击穿电压和高开关速度等特性，已成为下一代高密度电力系统的主流器件之一，并在电子消费产品中得到大规模应用。由于硅基氮化镓横向功率器件电气可靠性十分有限，主要表现在硬开关工作环境中的动态电阻退化效应，这给其在寿命要求较长的领域（如数据中心、基站等电源系统）应用带来了挑战，阻碍了其在ICT电源等大功率领域中的大规模应用。
氮化镓（GaN）器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域。相比于横向器件，GaN纵向功率器件能提供更高的功率密度、更好的动态特性、更佳的热管理及更高的晶圆利用率，近些年已取得了重要的进展。而大尺寸、低成本的硅衬底GaN纵向功率器件更是吸引了国内外众多科研团队的...
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件（日）
孙钱 电子器件 高性能离子
2022/12/14
氮化镓（GaN）电子器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域，目前650V级的GaN基横向功率器件（如HEMT）已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统，而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
氮化镓（GaN）电子器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域，目前650V级的GaN基横向功率器件（如HEMT）已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统，而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
山东大学“稷下风”学术论坛-冀东：垂直结构氮化镓功率器件研究进展。
功率型高效发光二极管是实现半导体照明的核心器件。该领域的发展引起了全球企业和研究机构的重视。目前，发光效率与可靠性问题是制约功率型LED发展与应用的主要技术瓶颈。本研究围绕如何实现高效高可靠性功率型LED展开，探讨制约发光效率的关键因素和物理机制，深入研究器件结构和关键工艺技术，实现高效高可靠性大功率LED，解决半导体照明领域核心器件问题。
近日，南方科技大学工学院国家示范性微电子学院于洪宇院长团队在宽禁带半导体材料和器件领域取得重要进展，特色研究成果包括免刻蚀常关型GaN凹栅MIS-HEMT器件、具有长期工作可靠性的p-GaN HEMT器件及新型栅极击穿测量方法、实现低磁滞和高稳定性的HfO2/GaN MIS-HEMT器件、精确控制InAlN/GaN异质结构刻蚀深度和表面形貌的新型原子层刻蚀技术，以及高性能Ga2O3功率二极管制备。...
功率器件是一种具有处理高电压，大电流能力的半导体芯片，主要用于变频、变压、变流、功率管理等功率处理。特别是近年来随着5G通信、新能源、轨道交通、智能电网等技术的发展，对高性能功率器件的需求进一步增加。传统的功率器件基于硅半导体材料，其性能开发已经接近极限。目前，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体功率器件正在快速进入产业化。但基于无机半导体材料的功率器件制备技术难度大，工...
富士康成立半导体公司聚焦功率器件
富士康 半导体公司 功率器件
2021/5/10
国巨与鸿海宣布，双方将携手成立合资公司－国瀚半导体（XSemi Corporation） ，共同切入半导体相关产品的开发与销售，将更深化双方在半导体领域的布局，初期锁定平均单价低于美金2元的功率、模拟半导体产品，简称小IC，进行多样的整合与发展。目前已和多家世界级半导体公司展开讨论，近期将宣布相关半导体领域的合作案。 国巨董事长陈泰铭与鸿海董事长刘扬伟今日出席签署合资公司成立的合约协议。国瀚半导体...
东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心
东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心 功率器件
2021/1/14
2018年10月，国家专用集成电路系统工程技术研究中心与无锡新洁能股份有限公司成立“东南大学-无锡新洁能半导体功率器件联合研发中心”，在功率器件领域进行深层次合作，开发世界级水平、具有自主知识产权的、符合市场与应用需求的功率器件及模块，包括发展战略研究、新一代功率器件结构研发以及前期预研项目的开展等，加速功率器件新结构、功率器件可靠性、功率器件封装、功率模块及应用等研究成果的产业化。无锡新洁能公司...