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中南大学电子信息学院硕士生导师侯小超副教授（图）
中南大学电子信息学院 硕士生导师 副教授 非线性电路 复杂网络系统 双高电力系统 能源电子
2024/1/13
侯小超，博士、中南大学 特聘副教授、硕士生导师。2014、2017和2020年在中南大学分获自动化学士、控制科学与工程硕士和博士学位（团队导师：孙尧、粟梅、韩华），2018至2019年于新加坡南洋理工大学公派访学一年（合作导师：张欣、王鹏），研究生期间获湖南省优博学位论文和湖南省优硕论文，荣获湖南省百佳大学生优秀党员。2020年7月-2022年12月，在清华大学从事电气工程博士后研究（合作导师：孙...
中南大学电子信息学院邱雷雷副教授（图）
中南大学电子信息学院 邱雷雷 副教授 微波/毫米波器件 天线理论与技术 电磁超材料
2024/1/13
邱雷雷，湖北孝感安陆人，博士，中南大学特聘副教授。2021年3月博士毕业于澳门大学科技学院电机与电脑工程专业，师从导师IEEE Fellow祝雷教授。研究方向为微波/毫米波器件、天线理论与技术、电磁超材料与应用，主要包含滤波器、移相器、宽带天线、相控阵天线、超表面等。已在IEEE Trans. Microw. Theory Techn., IEEE Trans. Antennas and Prop...
本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模...
中国科学院沈阳自动化研究所专利：一种具有健康状态提醒功能的无线音箱
中国科学院沈阳自动化研究所 专利 健康状态 提醒功能 无线音箱
2024/1/12
中国科学院沈阳自动化研究所专利：一种具有健康状态提醒功能的无线音箱
本实用新型涉及一种可调型电子设备恒电压梯度保护器，该电压梯度保护器是由内置电源、供电测试模块、高低压同步转换模块、显示模块、高压继电器、低压继电器，高压压敏电阻、低压压敏电阻，高压电压比较器和低压电压比较器组成，该保护器桥接于外界电源和用电设备之间，外界电源电压稳定在电压梯度内时保证用电设备正常工作。当外界电源电压过低时，低压压敏电阻发生变化，导致低压电压比较器发生反转，显示模块中的低压信号指示灯...
中国科学院微电子所在多模态三维神经形态计算领域取得重要进展（图）
三维神经 形态计算 微电子
2024/1/11
微电子所重点实验室刘明院士团队设计了一种新的3D垂直RRAM阵列，其中不同层器件分别具有非易失性和易失性，这使得它能够构建多模态神经形态计算网络。第1层器件（字线：TiN）和第2层器件（字线：Ru）分别表现出不同的动态特性，可以用于构建多时间尺度储备池计算网络；第3层器（WL：W）表现出了多比特存储的非易失特性，可用于构建卷积神经网络和全连接网络等。第1层和第2层器件构建的多时间尺度储备池计算网络...
中国科学院微电子所在三维铁电存储器噪声特性应用方面取得进展（图）
芯片 集成 微电子
2024/1/11
传统贝叶斯机面临三大挑战：一是需要高质量的随机源生成具有真随机性的随机比特数流；二是由于随机变量随着问题的规模和复杂度的增加而增加，因此需要高密度的存储器；三是存储器和随机源的分离，导致了芯片面积和功耗的浪费。
中国科学院微电子所在CAA结构的3D DRAM研究领域取得重要进展（图）
结构 器件 晶体管
2024/1/11
DRAM是存储器领域最重要的分支之一。随着尺寸微缩，1T1C结构DRAM的存储电容限制问题愈发显著，导致传统1T1C-DRAM面临微缩挑战。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微缩挑战，在3D DRAM方面发挥更大的优势。但现阶段研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸（6F2）大很多，...
中国科学院物理研究所博士生导师刘永昌研究员（图）
中国科学院物理研究所 博士生导师 研究员 自旋电子学材料 物理及器件
2024/1/10
刘永昌（Yong-Chang LAU），马来西亚籍华裔，特聘研究员，博士生导师。2016年博士毕业于爱尔兰都柏林圣三一学院物理系。2016年至2019年在日本东京大学和物质材料研究机构（NIMS）进行博士后研究并获选为日本学术振兴会外国人特别研究员。2019年至2021年在日本东北大学金属材料研究所任特任助理教授，2021年11月加入物理研究所怀柔研究部HM-03组。
宁波材料所在sp2碳共轭有机框架聚合物新材料设计制备方面取得重要进展（图）
有机框架 聚合物 半导体材料
2024/1/10
二维共价有机框架（2D COFs）聚合物作为新一代有机半导体材料，具有可调的光电性质、开放的纳米孔道和丰富的活性位点，在光电催化、能源转换和有机电子等领域展现出广阔的应用前景。特别是碳碳双键连接的共价有机框架聚合物（sp2c-COFs）凭借其拓展的π共轭、优异的稳定性和高载流子迁移率等特性，成为COFs领域研究前沿方向。然而，有限的成键化学、较高的反应势垒和较差的可逆性导致sp2c-COFs合成困...
本发明涉及一种适用于中温区高稳定负温度系数热敏电阻及制备方法，所述热敏电阻是由Co、Mn、Fe、Zn四种金属元素的氧化物组成，经共沉淀法制备、成型、烧结、切片、烧渗电极、划片和封装，即得到适用于中温区高稳定NTC热敏电阻，该电阻标准电阻（25℃电阻）为50‑180KΩ，材料常数为3990K‑4270K。该热敏电阻器件具有适合中温区应用的标准电阻和材料常数，可用于汽车、空调、...
本发明涉及一种基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法，该方法包括筛选p‑i‑n结构的探头，探测器参数调整及确认，在不同放射源下获取探测器响应并标定；根据不同放射源对探头材料的非电离能损NIEL，将探测器响应与不同放射源注量或剂量的关系统一成探测器响应与位移损伤剂量的关系；根据实际探测结果确定损伤增强因子。该方法优势在于其探测的物理量是位移损伤剂量，...
本发明涉及一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法，该方法通过对在轨暗场测试采集到的其中任一幅图进行计算，得到该幅图的背景信号SBG和图像饱和信号Smax，然后统计该幅图中信号灰度值介于2SBG和Smax之间的热像素信号个数，对于单个热像素信号计算其最亮像素的灰度值，统计单个热像素的拖尾信号所占的像素个数，并计算单个热像素所占拖尾像素的灰度值之和，再计算单个热像素信号转移到输出端的转移...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 辐照后 互补金属氧化物 半导体 光子转移曲线 转换增益
2024/1/5
本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体样品、直流电源和计算机组成，通过调整积分球光源的辐照度和测试软件的积分时间，使两者的乘积为互补金属氧化物半导体的饱和输出，并计算辐照后暗场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。在亮场条件下，计算辐照后亮场的平均灰度值和相应的灰度值的时...
本发明属于光电器件测试技术领域，涉及一种提高低温光致发光测试精度的实验方法；该方法中涉及装置是由真空罩、防热辐射屏、待测样品、样品架、凸透镜、滤光片、单色仪、入射激光、光致发光、反射激光和探测器组成，利用防热辐射屏出射角大于90度的出射窗口收集待测样品发出的光致发光，从而达到提高光致发光测试精度的目的。本发明具有操作简单、效率高、提高测试精度、节省测试时间等特点。