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本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法,该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关,总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合,准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
本发明涉及一种提升珠状耐高温热敏电阻器抗热冲击性能的封装方法,该方法采用母相玻璃玻璃化转变温度为760?800℃的玻璃陶瓷封装热敏电阻,将玻璃粉粘稠浆料涂覆于珠状热敏电阻表面后,在温度900℃经一次热处理,在转化为玻璃陶瓷的同时形成封装结构,既能够实现封装层在敏感体陶瓷表面的良好浸润,进而形成致密的封装结构,且封装后的热敏电阻器抗热冲击性能显著提高,可耐受室温?900℃热冲击1000次,且零功率电...
本发明涉及一种微波加热用于无机纤维生产的装置和拉丝方法,该装置是由移动式拉丝平台、微波电源、微波屏蔽腔、高温热电偶、控制台、散热风扇、微波发生器、矩形波导、云母薄片、微波谐振腔、保温腔、腔体支架、保温腔上盖、保温腔底座、辅助加热层、拉丝漏板、微波抑制开关、浸润剂涂覆器、卷丝器组成,根据矿物质材料导热性差等特性,对矿物质材料进行更加快速彻底地熔化,使得矿物质材料熔融体温度均匀,熔融体挥发份减少,成份...
本发明涉及一种商用VDMOS器件工艺批次信息识别的方法,该方法是由器件参数测试、批量数据统计分析和敏感批次参数确立组成。由于不可控制误差对商用VDMOS器件工艺批次识别的影响的主要因素为:工艺制造过程中的细微波动,会导致不同批次及批次内器件电参数出现差异性。通过对两批次器件开展参数测试试验,基于数据统计分析方法,在同一坐标轴的基础上进行两个批次的分布对比,建立器件参数与工艺批次信息识别的映射关系,...
本发明涉及一种低B值适用于宽温区测温的高灵敏度热敏电阻材料及其制备方法,该热敏电阻以氧化镧、碳酸锶、三氧化二铬和氧化铝为原料,经混合研磨、煅烧、再混合研磨、冷等静压成型、高温烧结工艺、被电极工艺过程,得到具有钙钛矿相LaCrO3的陶瓷热敏电阻,电阻率℃为549.02?113042.65Ωcm、材料常数℃为981.51?1370.09 K和活化能℃为0.0846?0.1181 eV,负温度系数℃为3...
本发明涉及一种大口径紫外三倍频器件的制备方法,该方法首先利用Maker条纹法对四氟硼酸胍晶体的倍频系数进行测量,得到2个非零的有效的倍频系数;再用最小偏向角法测定四氟硼酸胍晶体从253nm?2325nm之间11个波长下的主折射率,拟合得Sellmeier方程;依据Sellmeier方程,通过计算机程序,计算得该四氟硼酸胍晶体Ⅰ类或Ⅰ类相位匹配曲线,再结合倍频系数确定该四氟硼酸胍晶体相位匹配点;然后...
本发明公开了一种接触式温控器中CaYNbMnO7热敏电阻的冷辅助制备方法,该方法以原料碳酸钙、三氧化二钇、五氧化二铌和二氧化锰利用冷烧结工艺制备相对致密的CaYNbMnO7陶瓷胚体,然后通过相对较低的烧结温度来促进相转变,并进一步提高CaYNbMnO7热敏陶瓷的致密度,得到CaYNbMnO7的热敏电阻材料。本发明所述方法具有能耗低、烧结时间短等优点,制得的CaYNbMnO7的圆片状高密度陶瓷块体材...
本发明涉及一种四氟硼酸胍晶体四倍频器件的制备方法,该方法首先利用Maker条纹法对晶体的倍频系数进行测量,得到2个非零的有效的倍频系数;再用最小偏向角法测定晶体从253nm‑2325nm之间11个波长下的主折射率,拟合得Sellmeier方程;依据Sellmeier方程,通过计算机程序,计算得该晶体Ⅰ或Ⅱ类相位匹配曲线,再结合倍频系数确定该晶体相位匹配点;然后按相位匹配方向对晶体进行切...
中国科学院深圳先进技术研究院专利:电子结算终端及方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利:一种双电容厚膜陶瓷感压元件的制备方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利:复合电介质材料,制备方法以及平板型电容器和印刷电路板
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中国科学院深圳先进技术研究院专利:微带电路全波分析方法

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