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本发明涉及一种发光二极管与光电转换器件的耦合方法，其特征在于：所述发光二极管与光电转换器件之间通过两端均为磨锥球面的光纤进行耦合，即双头磨锥球面光纤耦合。本发明的耦合方式对含有发光二极管与光纤耦合的各种检测器、传感器和光学通信设备，尤其是荧光检测器和荧光传感器具有应用价值。该耦合方法简单、实用、方便、成本低廉。
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种含铅四元系负温度系数热敏电阻器
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 铅 四元系 负温度系数 热敏电阻器
2024/1/16
本发明涉及一种含铅四元系负温度系数热敏氧化物粉体合成及电阻器的制备方法，该方法以锰、钴、镍、铅的氧化物为原料，采用氧化物固相法制备粉体材料，粉体经干燥、煅烧、预压成型、烧结、涂烧电极、采用环氧树脂封装后制成负温度系数热敏电阻器，该电阻器具有高B低阻、烧结温度低、稳定性好、精度高的特点，其材料常数为B25/50=3485-4106K，B值允许偏差：±1%，R25℃=70-630Ω，阻值允许偏差：±3...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种高温厚膜热敏电阻的制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 厚膜 热敏电阻
2024/1/15
本发明涉及一种高温厚膜热敏电阻的制备方法，该方法是将硝酸镧、乙酸锰和硝酸铝分别溶解在冰醋酸中，得到纯清溶液，将溶液蒸发得到凝胶，再将凝胶加热、高温晶化，得到热敏粉体，再将热敏粉体和乙基纤维素按照一定的质量比混合、研磨，再将研磨好的粉体和松油醇混合、搅拌得到均匀的厚膜浆料，最后将浆料印刷在Al2O3衬底上、热处理，得到厚膜热敏电阻。制得热敏电阻样品膜厚为25μm，满足电子设备结构的微型化要求，而在8...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种中继式不间断电源
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 中继式 不间断电源
2024/1/15
本实用新型涉及一种中继式不间断电源，该电源是由外置电源、开关、电量显示报警器、电磁继电器、变压模块、充电模块、开关、内置电源、保险管和用电器组成，该电源的外置电源电量充足时保证用电设备正常工作；当外置电源电量不足，电量指示报警器开始报警，此时拆卸外置电源，电磁继电器切换到内置电源供电；更换电量充足的外置电源后，电磁继电器自动切换到外置电源供电，同时外置电源对内置电源进行充电；整个过程用电设备可不间...
中国科学院沈阳自动化研究所专利：一种具有健康状态提醒功能的无线音箱
中国科学院沈阳自动化研究所 专利 健康状态 提醒功能 无线音箱
2024/1/12
中国科学院沈阳自动化研究所专利：一种具有健康状态提醒功能的无线音箱
本实用新型涉及一种可调型电子设备恒电压梯度保护器，该电压梯度保护器是由内置电源、供电测试模块、高低压同步转换模块、显示模块、高压继电器、低压继电器，高压压敏电阻、低压压敏电阻，高压电压比较器和低压电压比较器组成，该保护器桥接于外界电源和用电设备之间，外界电源电压稳定在电压梯度内时保证用电设备正常工作。当外界电源电压过低时，低压压敏电阻发生变化，导致低压电压比较器发生反转，显示模块中的低压信号指示灯...
本发明涉及一种适用于中温区高稳定负温度系数热敏电阻及制备方法，所述热敏电阻是由Co、Mn、Fe、Zn四种金属元素的氧化物组成，经共沉淀法制备、成型、烧结、切片、烧渗电极、划片和封装，即得到适用于中温区高稳定NTC热敏电阻，该电阻标准电阻（25℃电阻）为50‑180KΩ，材料常数为3990K‑4270K。该热敏电阻器件具有适合中温区应用的标准电阻和材料常数，可用于汽车、空调、...
本发明涉及一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法，该方法通过对在轨暗场测试采集到的其中任一幅图进行计算，得到该幅图的背景信号SBG和图像饱和信号Smax，然后统计该幅图中信号灰度值介于2SBG和Smax之间的热像素信号个数，对于单个热像素信号计算其最亮像素的灰度值，统计单个热像素的拖尾信号所占的像素个数，并计算单个热像素所占拖尾像素的灰度值之和，再计算单个热像素信号转移到输出端的转移...
本发明公开了一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统，该系统由三维叠层封装SRAM器件，电源模块，单粒子翻转数据分析模块组成，三维叠层封装SRAM器件与单粒子翻转数据分析模块连接，电源模块与三维叠层封装SRAM器件连接，所述三维叠层封装SRAM器件为3层‑10层，三维封装SRAM器件中各层之间需对齐，电源模块对三维叠层封装SRAM器件的各层分别供电，单粒子翻转数据分析模...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种全无机柔性热敏器件及其制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 全无机 柔性热敏器件
2023/12/29
本发明公开了一种全无机柔性热敏器件及其制备方法，该器件由柔性衬底，沉积于衬底上的缓冲层，沉积于缓冲层上的热敏薄膜，沉积于薄膜上的分形电极及沉积于电极上的绝缘层组成，采用的溅射方法为直流溅射或射频溅射制成，该器件结构简单，质量轻薄，同时薄膜结晶度较好，粗糙度较小，对温度的灵敏度较好，重复性好，操作简单，实现薄膜的较大面积生长，且生长的薄膜均匀性较好。为柔性热敏器件的研究和开发奠定了基础。通过镀膜工艺...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种动态气敏元件性能测试装置
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 动态气敏元件 性能测试
2023/12/21
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种动态气敏元件性能测试装置
中国科学院合肥物质科学研究院专利：静态与动态均流的大电流电子开关
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 均流 大电流 电子开关
2023/12/8
中国科学院合肥物质科学研究院专利：静态与动态均流的大电流电子开关
本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数；确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件；获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度；提取不同温度下的产生‑复合(G‑R)噪声；获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率；基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程；基于Arrhenius方...
本发明涉及一种提升珠状耐高温热敏电阻器抗热冲击性能的封装方法，该方法采用母相玻璃玻璃化转变温度为760?800℃的玻璃陶瓷封装热敏电阻，将玻璃粉粘稠浆料涂覆于珠状热敏电阻表面后，在温度900℃经一次热处理，在转化为玻璃陶瓷的同时形成封装结构，既能够实现封装层在敏感体陶瓷表面的良好浸润，进而形成致密的封装结构，且封装后的热敏电阻器抗热冲击性能显著提高，可耐受室温?900℃热冲击1000次，且零功率电...
本发明涉及一种商用VDMOS器件工艺批次信息识别的方法，该方法是由器件参数测试、批量数据统计分析和敏感批次参数确立组成。由于不可控制误差对商用VDMOS器件工艺批次识别的影响的主要因素为：工艺制造过程中的细微波动，会导致不同批次及批次内器件电参数出现差异性。通过对两批次器件开展参数测试试验，基于数据统计分析方法，在同一坐标轴的基础上进行两个批次的分布对比，建立器件参数与工艺批次信息识别的映射关系，...