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一种用于多路分段离子阱的射频直流耦合驱动电路，包括射频输入（1）、直流耦合输入（2）、电感L1和电容C1组成的滤波部分（3）和合成波形耦合输出（4）；其工作原理为：射频高压信号经过射频输入（1）传输高频交流信号，直流电压信号通过直流耦合输入（2）传输信号，再经由合成波形耦合输出（4）叠加这两种不同波形得到合成电压信号；其中电感L1和电容C1组成的滤波部分（3）组成滤波电路阻止射频输入（1）的高压射...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种高功率微波功率和模式实时监测设备
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 微波功率 模式 实时监测
2023/12/28
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种高功率微波功率和模式实时监测设备
中国科学院金属研究所专利：一种实现构件间相对运动下的电路连通装置
中国科学院金属研究所 专利 构件 相对运动 电路连通
2023/12/26
一种实现构件间相对运动下的电路连通装置,其特征在于：所述的实现 构件间相对运动下的电路连通装置包括轴承(1),能导电的润滑介质(2), 连接导线的端子一(3),连接导线的端子二(4)；连接导线的端子一(3) 与轴承(1)的内圈固定或可拆卸连接,连接导线的端子二(4)与轴承(1) 的外圈固定或可拆卸连接,能导电的润滑介质(2)填充在轴承(1)的内 外圈之间或轴瓦的内表面。本发明的优点：能实现两个相对...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种大功率稳态回旋管电子枪混合冷却装置
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种EAST真空报警灯控制电路
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 EAST 真空报警灯 控制电路
2023/12/26
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种EAST真空报警灯控制电路
中国科学院合肥物质科学研究院专利：耦合度可调谐的超宽带微波定向耦合器
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种动态气敏元件性能测试装置
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 动态气敏元件 性能测试
2023/12/21
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种动态气敏元件性能测试装置
中国科学院金属研究所专利：一种金刚石颗粒掺杂的热界面材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 金刚石颗粒 热界面材料
2023/12/21
本发明属于微电子材料技术领域,具体为一种金刚石颗粒掺杂的热界面材料 及其制备方法,解决现有芯片和热沉间热界面材料已难以满足散热需求等问题。 本发明所提供的材料由Sn、Bi、In、Ga等金属颗粒和金刚石颗粒混合制成,Sn、 Bi、In等金属颗粒尺寸在20～80μm之间,其占有的体积分数为20～99％。金刚石 颗粒尺寸在5～80μm,占有的体积分数为1～80％。通过上述颗粒状的金属和金刚 石、有机载体...
中国科学院金属研究所专利：微电子封装中焊料凸点连接金属化层及应用
中国科学院金属研究所 专利 微电子封装 焊料凸点连接 金属化层
2023/12/18
本发明涉及微电子封装领域的微互联技术,具体地说是一种可焊性良好的铁 镍镀层作为微电子封装中焊料凸点连接金属化(过渡)层及其应用。该发明可以 广泛应用于微电子封装行业,特别适合于BGA等形式的高密度微互联技术,具 体可以作为基板或印刷电路板上焊盘金属化层、芯片倒装焊互联中的凸点下金属 化层等。本发明采用电镀的方法在铜(或镍)层上镀铁镍合金层,铁重量百分比 为5-80％,该镀层厚度及铁元素含量可以根据...
本发明涉及一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真方法，该方法利用TCAD仿真软件，依据器件实际的工艺和结构特性，建立三维仿真结构；通过调用基本物理模型，计算器件基本工作特性；将基本特性仿真结果与试验结果对比，修正仿真中的工艺参数和物理模型中的经验参数，使仿真结果最大程度与试验结果拟合；再增加电离总剂量辐射效应模型，并设置模型和材料参数，计算器件的总剂量辐射损伤特性；将器件辐射损伤特性仿真结果...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：静态与动态均流的大电流电子开关
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 均流 大电流 电子开关
2023/12/8
中国科学院合肥物质科学研究院专利：静态与动态均流的大电流电子开关
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种自动监测仿真及其并行化处理的方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种虚拟仿真系统中力觉反馈的计算方法
本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数；确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件；获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度；提取不同温度下的产生‑复合(G‑R)噪声；获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率；基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程；基于Arrhenius方...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种电路级总剂量辐射效应仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 电路级 总剂量 辐射效应 仿真方法
2023/12/7
本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同，总剂量辐射损伤特性不同，进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态，计算晶体管总剂量辐射损伤，实现电路总剂量辐射效应...