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搜索结果: 1-11 共查到核科学技术 离子辐照相关记录11条 . 查询时间(0.176 秒)
反应堆结构材料长期服役于高温、高剂量辐照、强氧化腐蚀等极端环境,传统合金已经不能满足下一代先进核反应堆的服役需求,成为限制核能领域发展的“卡脖子”难题。高熵合金(High-entropy alloys, HEA)是以多种过渡族金属元素作为组元的新型固溶体材料,具有独特的力学、物理和化学性质,尤其在高温力学、抗辐照等方面表现出优异的性能。目前,在高熵合金中,通过固溶“尺寸差异”原子从而引入额外的化学...
采用5MeV的Xe离子在550℃对选区激光熔化成形(SelectiveLaserMelted,SLM)的304L不锈钢进行辐照,通过透射电子显微镜(TransmissionElectronMicroscopy,TEM)和纳米压痕仪分别研究了该材料辐照前后的微观结构和纳米硬度的变化,并在相同实验条件下与传统工艺轧制的(TraditionallyManufactured,TM)304L不锈钢进行对比。...
为研究离子辐照对金属材料微观结构状态的影响,以透射电子显微镜为分析手段,探讨氩离子辐照对纯镍薄膜辐照缺陷及变形结构的影响规律。研究结果显示:氩离子辐照纯镍薄膜样品可诱发明显的辐照损伤效应;较低辐照剂量下,辐照缺陷团簇以黑点缺陷为主,其中包含大量的层错四面体;辐照剂量较高时,产生孔洞缺陷,其数密度随着辐照剂量而增大,其尺寸呈先上升后下降的趋势。与块体镍材料不同,较高剂量氩离子辐照可在纯镍薄膜中诱发位...
采用扫描电镜(ScanningElectronMicroscope,SEM)、导电原子力显微镜(ConductiveAtomicForceMicroscope,CAFM)、能谱仪(EnergyDispersiveSpectrometer,EDS)和纳米压痕等表征技术和方法,综合分析了130eV氢(H)离子辐照诱导的多晶钨(W)材料的辐照损伤行为。研究表明:H离子辐照剂量从1.0×1024ions?...
采用500 keV的He离子在750 ℃下对GH3535合金样品进行辐照,然后利用掠入射X射线衍射(GIXRD)、透射电子显微镜(TEM)和纳米压痕仪分别对样品的氦泡和位错环辐照缺陷的演化及纳米硬度的变化进行了研究。结果表明,GH3535合金晶格辐照后发生了轻微畸变;离子辐照在样品中形成了大量尺寸为2~5 nm的氦泡和位错环。辐照产生的氦泡和位错环等缺陷在基体中钉扎位错,从而使材料产生了辐照硬化现...
介绍了利用载能离子辐照模拟研究反应堆结构材料中金属/金属界面原子扩散行为的实验进展,特别是辐照参数(如辐照剂量、辐照温度、核能损、电子能损以及膜结构等)对界面原子扩散行为的影响,并对可能的机理进行了简要的评述。
为研究圆锥形径迹孔与多层镀膜结合对改善材料在红外光区的抗反射性能的影响,采用HI-13串列加速器提供的32S离子分别辐照20 μm和50 μm厚的聚酯,用氢氧化钠和PEW溶液蚀刻后,两种聚酯表面的潜径迹成为孔径分别是0.5 μm和3 μm的径迹孔。在有径迹孔的样品表面,用真空蒸发依次镀上不同厚度的银、石墨和氟化镁或石墨和氟化镁。在2.5~10 μm波段的红外光区测量表面全反射。结果显示,有径迹孔的...
枯草芽孢杆菌BJ1是一种在真菌病害防治中发挥重要作用的生防因子,为进一步提高它的抑菌能力,获得生防效果更好的高效菌种,利用不同能量和剂量的12C6+对生防菌BJ1进行了离子辐照处理。研究结果表明:离子辐照生防菌BJ1的最适宜剂量为200~400 Gy,传能线密度(LET)为60 keV/μm;突变菌株的抑菌能力比BJ1提高了2%~21%;不仅防病效果比BJ1提高了1748%,而且对植...
200keV Xe+离子辐照使单晶YSZ由无色透明变成紫色透明,结果表明,能量为200keV,注量为1×1017cm-22的Xe+离子辐照YSZ单晶产生的损伤高达350dpa,在损伤区产生高密度的缺陷,但仍然没有发生非晶化转变。吸收光谱测试结果表明,产生吸收带的注量阈值大约为1016cm-2。注量为1×1016cm-2和1×1017cm-2的样品,吸收带峰值分别位于522nm和497nm。光吸收带...
0.1 MeV)的辐照场下工作。在整个寿期内,要经受注量达3×10~(23)n/cm~2的快中子辐照,相当于100~120 dpa。在超过空洞孕育期(~10~(22)n/cm~2)后,包壳材料出现严重的辐照肿胀(对316不锈钢,在快堆寿期末,肿胀量可达到10%),其肿胀按(φt)~n方式增加,其中φ为快中子注量,t为时间,n为大于1的指数。对快堆
为进行静态随机存储器芯片和可编程外围接口芯片的单粒子效应研究,研发了重离子辐照效应检测系统。系统特点是人机界面友好,操作方便、直观,实现了可靠的控制与数据采集。在HI 13串列加速器上,利用此系统对静态随机存储器HM1 65642(SRAM8K×8bit)和可编程外围接口电路ID82C55ACl、56Fe、79的单粒子翻转效应和单粒子锁定效应成功地进行了试验研究,完成两种器件5种离子16O、35B...

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