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静态随机存储器总剂量辐射及退火效应研究
静态随机存储器 总剂量效应 功耗电流 退火效应
2011/2/28
通过比较1 Mbit商用静态随机存储器（SRAM）在6种不同偏置条件下器件参数（静态和动态功耗电流）和功能参数（错误数）随辐射总剂量、退火时间的变化规律，研究了不同工作状态对辐射损伤的影响，以及不同偏置和温度（25 ℃和100 ℃）条件下的退火机制。结果表明：不同偏置对器件参数和功能退化及退火恢复有较大影响；静态和动态功耗电流为器件的敏感参数，在静态偏置条件下器件的辐射损伤最严重。