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采用扫描电镜（ScanningElectronMicroscope，SEM）、导电原子力显微镜（ConductiveAtomicForceMicroscope，CAFM）、能谱仪（EnergyDispersiveSpectrometer，EDS）和纳米压痕等表征技术和方法，综合分析了130eV氢（H）离子辐照诱导的多晶钨（W）材料的辐照损伤行为。研究表明：H离子辐照剂量从1.0×1024ions?...
自从4.6GHz低杂波系统投入EAST实验以来，低杂波天线口保护限制器热斑刻蚀靶板问题日益突出。低杂波驱动快电子导致的热斑严重阻碍了低杂波系统的注入功率和高参数长脉冲的运行。为了理解热斑的形成和刻蚀机理，本论文在实验上发现，碳杂质爆发与热斑处温度存在依赖关系，热斑处的温度比背景靶板处温度高5倍，并随放电时间和等离子体密度满足准线性关系。