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中国科学院微电子研究所专利：太赫兹焦平面阵列及检测与成像装置
中国科学院微电子研究所 专利 太赫兹 焦平面阵列 检测成像装置
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：太赫兹焦平面阵列及检测与成像装置
中国科学院微电子研究所专利：制热型MEMS热电堆红外探测器结构及其制备方法
中国科学院微电子研究所专利：利用平行光测量衬底反射率和透射率的宽光谱光学量测系统
中国科学院微电子研究所专利：一种全时测量PV组件功率特性的装置
中国科学院微电子研究所 专利 全时测量 PV组件 功率特性
2023/7/6
中国科学院微电子研究所专利：一种全时测量PV组件功率特性的装置
中国科学院微电子研究所专利：一种液晶滤波方法、液晶滤波器和空间滤波系统
中国科学院微电子研究所专利：一种制备表面等离子体激元纳米光子器件的方法
中国科学院微电子研究所在二硫化钼负电容场效应晶体管上取得进展（图）
二硫化钼 负电容场效应 晶体管
2021/1/8
近日，2020国际电子器件大会（IEDM）以视频会议的形式召开。会上，微电子所刘明院士科研团队展示了二硫化钼负电容场效应晶体管的最新研究成果。功耗是制约未来集成电路发展的瓶颈问题。在栅极中引入铁电新材料的“负电容晶体管”（NCFET）可突破传统场效应晶体管的亚阈值摆幅开关极限，有望在极低电源电压下工作，从而降低功耗并保持高性能。同时，原子层厚度的二硫化钼（MoS2）免疫于短沟道效应，具有较高的迁移...
“2020硅光集成应用与技术生态研讨会暨中国科学院微电子研究所硅光成套技术PDK2.0发布会”在微电子所召开（图）
2020 硅光集成应用 研讨会 硅光成套技术 PDK2.0 发布
2020/12/4
2020年12月2日，“2020硅光集成应用与技术生态研讨会暨中科院微电子所硅光成套技术PDK2.0发布会”在微电子所召开。本次会议由微电子所主办，中科微光子科技（成都）有限公司、中科芯未来科技成都有限公司承办，并得到了亚欧科技创新合作中心、四川省成都市双流区政府、光子集成（温州）创新研究院的大力支持。北京市科委、北京市经信局、北京市新材料发展中心的领导出席了本次会议，约260名来自硅光领域产业界...
2020年7月3日，中国光学工程学会第六届“中国光学工程学会科技创新奖”获奖名单公布，评选出“技术发明奖”6项和“科技进步奖”11项。微电子所光电研发中心朱精果团队与合作单位联合申报的“探测定位系统项目—激光感知与处置系统”荣获中国光学工程学会技术发明奖一等奖。
近日，微电子所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士的科研团队在HfO2基铁电存储器研究领域取得了进展，提出了一种基于Hf0.5Z0.5rO2（HZO）材料的铁电二极管（Fe-diode），并实现了三维集成。 铁电存储器具有高速、低功耗、高可靠性的优点，是下一代非挥发性存储器的有力竞争者之一。然而，传统铁电材料与标准CMOS工艺兼容性差问题和尺寸微缩难的问题制约着铁电存储器的发展。2011年，掺杂...
中国科学院微电子研究所新型高功函数异质结X射线硅漂移探测器研究获得进展（图）
中国科学院微电子研究所 新型 高功函数 异质结 X射线 硅漂移 探测器
2020/2/28
近日，微电子所高频高压中心贾锐研究员团队，在欧阳晓平院士指导下，创新性地将高功函数钝化接触异质结技术应用到硅漂移探测器（SDD）中，成功研制出新型SDD核心元器件。目前，该团队在硅异质结漂移探测器的器件设计、工作机理和工艺制备等方面形成了核心竞争力，并具有完全自主知识产权。 硅漂移探测器是高能粒子探测领域能量分辨率最高的探测器之一，主要用于探测高能粒子和X射线，具有灵敏度高、能量分辨率高和计数率高...
中国科学院微电子研究所在新型垂直纳米环栅器件研究中取得进展（图）
中国科学院微电子研究所 垂直 纳米环栅器件
2019/12/10
中国科学院微电子研究所先导中心研究员朱慧珑及其课题组从2016年起针对相关基础器件和关键工艺开展了系统研究，提出并实现了世界上首个具有自对准栅极的叠层垂直纳米环栅晶体管（Vertical Sandwich Gate-All-Around FETs或VSAFETs），获得多项中、美发明专利授权，研究成果近日发表在国际微电子器件领域期刊IEEE Electron Device Letters上（DOI...