搜索结果: 1-15 共查到“半导体技术 电子器件”相关记录27条 . 查询时间(0.131 秒)
清华大学团队阐释层状半导体芯片新材料的横向结电子器件应用（图）
层状半导体芯片 横向结电子器件 新材料
2022/4/30
先进芯片是当前信息社会和人工智能时代的最底层科技基石，掌握新一代芯片的材料、工艺、器件、设计、制造是相当长时间内科技战略创新的主战场之一。由于经典的几何微缩的摩尔定律在2003年90nm节点，和等效的摩尔定律在2020年7nm节点都相继失效，硅基晶体管的微缩速度大大降低，主要原因是晶体管在多个几何维度进入了亚10nm尺度，传统半导体材料的量子效应开始显现，继续微缩遇到了很大的材料、工艺、器件结构、...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心（以下简称“工程中心”）是由国家发改委（原国家计委）根据我国光电子技术及其产业化的要求和国内外市场的需要，依托中科院半导体所组建并运行的国家级工程研究中心。旨在针对国家亟需的光电子器件开展工程化研究，为产业化提供所需的关键技术、共性技术及成套工艺。工程中心于1992年7月1日原国家计划委员会计科技函〔1992〕29号文件，批准成立，并于1996年12...
南方科技大学深港微电子学院于洪宇教授联合多伦多大学吕正红院士课题组发表关于钙钛矿光电子器件表界面研究进展的重要综述性文章（图）
南方科技大学深港微电子学院 于洪宇 多伦多大学 吕正红 钙钛矿光电子器件 表界面
2021/6/23
近日，南方科技大学深港微电子学院于洪宇教授课题组与加拿大多伦多大学吕正红教授（南方科技大学和云南大学访问教授）课题组合作，系统总结了光电子器件中钙钛矿半导体表界面的原子排列、缺陷态以及能带结构，并首次拓展讨论了基于界面间隙态理论的能级排列基本物理和关键方程，最后结合当前研究进展提出适用于钙钛矿异质结钝化的能带构型，相关成果以“Recent Progress on Perovskite Surfac...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心面研制了硅激光器阵列、硅基高速调制器阵列、硅基MUX、DEMUX、路由器和硅基锗探测器阵列，初步探索了基于CMOS技术的硅光芯片上的多功能器件集成技术，研制了硅基混合集成宽带高速光访存芯片；基于光子态电子态联合调控新原理新方案，发展了光子晶体半导体激光的全套具有自主知识产权的技术体系，应用光子晶体激光器开发的激光微推进器系统将于年底在微小卫星上完成搭...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心瞄准半导体材料与光电器件的产业制高点，承接多项国家重点研发计划，在第三代半导体固态紫外光源材料及器件、高功率半导体光电器件等方向实现关键技术突破。基于高质量氮化物材料研制出内量子效率超过70%的深紫外光源材料，波长<280nm的深紫外LED，输出光功率超过110mW，开发出具有国内领先水平的深紫外光源模组，推进我国在深紫外半导体光源这一“蓝海”产业做...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心研究方向高质量半导体外延材料及单晶
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心 研究方向 高质量半导体外延材料及单晶 半导体外延材料 单晶
2020/12/31
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心主要对高质量的半导体外延材料和单晶的研制，针对国家“十三五”期间“大力发展磷化铟、碳化硅等下一代半导体材料”的战略需求，突破高纯红磷、高纯铟等高纯原材料制备的关键技术，实现了从磷化铟用高纯原材料到磷化铟单晶的国产化自主保障，为我国光电子器件的发展与应用提供了材料支撑。
新型能谷电子器件研制成功——或可应用于未来集成电路
新型 能谷 电子器件 集成电路
2020/8/3
随着摩尔定律接近极限，传统的晶体管器件已进入发展瓶颈。如何利用新原理、新结构和新材料来解决和优化传统半导体器件中的尺寸微缩和能耗等问题，是后摩尔时代半导体技术的发展重点。南京大学电子工程学院的王肖沐、施毅课题组同浙江大学的徐杨课题组以及北京计算科学研究中心合作，研制了一种在常温下实现能谷自旋流产生、传输、探测和调控等全信息处理功能的固态量子器件，成果近日发表在《自然·纳米技术》杂志上。现代半导体器...
西安电子科技大学化合物半导体材料与器件课件第六章 量子器件与热电子器件。
北京大学信息科学技术学院、纳米器件物理与化学教育部重点实验室彭练矛教授课题组提出利用“金属工程”的策略，通过基于金（Au）设计孔洞状的底层等离激元结构来实现在片光操控。与此同时，由于金膜具有纳米量级的平整度，满足构建顶层有源器件对基片平整度的要求，从而避免机械抛光工艺，简化了制备流程。在制备等离激元结构的同时，采用金制备所有的互联线以及静电栅结构。由于低维半导体材料具有原子层尺寸的厚度，故而器件极...
电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试微电子器件试题。
西安电子科技大学微电子学院郝跃院士研究团队在负电容锗与锗锡沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）研究领域取得了突破性进展，首次通过实验系统地验证了铁电MOSFET器件中的负电容效应以及负电容对器件电流和亚阈值摆幅的提升作用。日前，在美国旧金山举行的2016年IEEE International Electron Devices Meeting（简称IEDM）会议上报道了该研究成果，并收录...
电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试微电子器件试题。
中国科学院上海硅酸盐研究所研究员孙静带领的科研团队成功地制备了具有超高弹性（>500%）的高电导率弹性导电纤维，该纤维在各种苛刻的外力变形条件下，仍能保持优异导电能力，在柔性电子领域具有广阔应用前景。相关研究成果日前发表于《美国化学会—纳米》专刊，并已申请发明专利。
柔性及可拉伸电子学是当前电子学领域的研究热点，并且在柔性显示器、电子皮肤、柔性传感器以及可植入医疗器件等应用方面取得了进展。各种柔性及可拉伸电子器件的构筑过程中，必须依赖于不同形变条件下仍保持良好导电能力的弹性导电体的连接，因此超高弹性导线的制备成为发展柔性电子器件的关键。近年来，研究者制备弹性导电体的主要方法是将导电材料构筑成可释放预应变的形状结构，一方面可借助柔性衬底将各种导电材料构筑成波纹状...
基于有机半导体的有机自旋电子器件近年来引起人们广泛关注和研究兴趣。最近，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心的研究人员采用新型半导体材料，实现了高性能的有机自旋阀器件，相关研究成果发表在Nature出版集团旗下的《科学报道》（Scientific Reports）上。有机半导体材料通常由碳、氢、氧等轻元素构成，其自旋-轨道耦合和超精细相互作用很弱，因而自旋极化可以保持较长的时间（自旋弛豫时间...