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搜索结果: 1-9 共查到半导体技术 光电子器件相关记录9条 . 查询时间(0.256 秒)
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心(以下简称“工程中心”)是由国家发改委(原国家计委)根据我国光电子技术及其产业化的要求和国内外市场的需要,依托中科院半导体所组建并运行的国家级工程研究中心。旨在针对国家亟需的光电子器件开展工程化研究,为产业化提供所需的关键技术、共性技术及成套工艺。工程中心于1992年7月1日原国家计划委员会计科技函〔1992〕29号文件,批准成立,并于1996年12...
近日,南方科技大学深港微电子学院于洪宇教授课题组与加拿大多伦多大学吕正红教授(南方科技大学和云南大学访问教授)课题组合作,系统总结了光电子器件中钙钛矿半导体表界面的原子排列、缺陷态以及能带结构,并首次拓展讨论了基于界面间隙态理论的能级排列基本物理和关键方程,最后结合当前研究进展提出适用于钙钛矿异质结钝化的能带构型,相关成果以“Recent Progress on Perovskite Surfac...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心面研制了硅激光器阵列、硅基高速调制器阵列、硅基MUX、DEMUX、路由器和硅基锗探测器阵列,初步探索了基于CMOS技术的硅光芯片上的多功能器件集成技术,研制了硅基混合集成宽带高速光访存芯片;基于光子电子态联合调控新原理新方案,发展了光子晶体半导体激光的全套具有自主知识产权的技术体系,应用光子晶体激光器开发的激光微推进器系统将于年底在微小卫星上完成搭...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心瞄准半导体材料与光电器件的产业制高点,承接多项国家重点研发计划,在第三代半导体固态紫外光源材料及器件、高功率半导体光电器件等方向实现关键技术突破。基于高质量氮化物材料研制出内量子效率超过70%的深紫外光源材料,波长<280nm的深紫外LED,输出光功率超过110mW,开发出具有国内领先水平的深紫外光源模组,推进我国在深紫外半导体光源这一“蓝海”产业做...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心主要对高质量的半导体外延材料和单晶的研制,针对国家“十三五”期间“大力发展磷化铟、碳化硅等下一代半导体材料”的战略需求,突破高纯红磷、高纯铟等高纯原材料制备的关键技术,实现了从磷化铟用高纯原材料到磷化铟单晶的国产化自主保障,为我国光电子器件的发展与应用提供了材料支撑。

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