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2020年7月,西安电子科技大学微电子学院关于硅与氮化镓异质集成芯片论文在国际半导体器件权威期刊IEEE Transactions on Electron Devices上发表,郝跃院士团队的张家祺博士和张苇杭博士为本论文的共同第一作者,张春福教授为论文的通讯作者。国际半导体行业著名杂志《Semiconductor Today》及时对成果进行了跟踪报道,受到国内外业界的关注。
近日,郝跃院士主编的《集成电路设计丛书》由科学出版社正式出版完成。该丛书是国内第一套集成电路设计类丛书,是我国集成电路设计领域的最新成果总结,入选国家“十三五”重点出版物出版规划项目,获得国家出版基金项目资助。
2020年3月11日,省长刘国中主持召开省政府第六次常务会议,研究了2019年度省科学技术奖励工作。会议决定,授予杨绍卿、安芷生、郝跃三位院士2019年度陕西省最高科学技术奖,对“复杂疾病相关模式发现理论与方法研究”等260个项目进行奖励。
西安电子科技大学郝跃发现半导体材料“新大陆”(图)
西安电子科技大学 郝跃 半导体材料 新大陆
2018/5/17
“谁掌握了我们的芯片,谁就掌握了我们的信息空间。信息空间虽然呈现为多维的、抽象的、不可见的,但却实实在在地影响着我们的生活。人们在这个空间一旦失去自由,就没有安全感。”5月10日,西安电子科技大学宽禁带半导体材料首席专家郝跃院士再次郑重地重复了他当选院士时说的话。郝跃,1958年3月生于重庆市,籍贯安徽阜阳,中国科学院院士、微电子学家。1982年,郝跃毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业,1...
西安电子科技大学微电子学院郝跃院士研究团队在负电容锗与锗锡沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)研究领域取得了突破性进展,首次通过实验系统地验证了铁电MOSFET器件中的负电容效应以及负电容对器件电流和亚阈值摆幅的提升作用。日前,在美国旧金山举行的2016年IEEE International Electron Devices Meeting(简称IEDM)会议上报道了该研究成果,并收录...
2014年12月7日-8日,香山科学会议第516次学术讨论会在苏州召开,这是香山科学会议在北京外召开的第5次会议。本次会议主题为“氮化物半导体电子器件”。会议由中国科学院院士、西安电子科技大学副校长、西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院院长郝跃教授担任执行主席,北京大学沈波教授,香港科技大学陈敬教授以及中科院苏州纳米所杨辉研究员担任会议共同执行主席。来自国家自然科学基金委员会、中国科学院、西安电...
西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室博士生导师郝跃教授(图)
西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室 博士生导师 郝跃 教授 宽禁带半导体材料与器件 超深亚微米小尺寸器件可靠性 SoC设计与设计方法学
2013/4/24