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本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。
本发明涉及辐射环境探测技术领域，涉及一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法。该探测系统包括探头模块、恒流源模块、数据采集模块和控制模块；所述控制模块输入端与PC机相连，控制模块输出端与恒流源模块、数据采集模块和探头模块相连；所述恒流源模块与探头模块相连；所述数据采集模块的输入端与探头模块相连，数据采集模块的输出端与PC机相连；所述探头模块包括SOI结构的辐照传感器。本发明实现了星用PMOS剂...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 总剂量辐照 PMOSFET 负偏压温度 不稳定性影响
2024/1/5
本发明涉及一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法，该方法是由试验样品分组及测试参数选择；试验样品的总剂量辐照及退火试验；试验样品的负偏压温度不稳定性测量组成，为了保证试验结果的一致性和准确性，首先将样品分为预辐照组、对比组及两个摸底试验组，在摸底试验的基础上对预辐照组开展确定条件下总剂量辐照和退火试验，再将对比组和预辐照组开展相同条件下的负偏压温度不稳定性试验，对比试验结果...
本申请实施例公开了一种电离辐射总剂量和电磁辐射协和效应测试方法及平台，该方法包括：获取累积了不同电离辐射总剂量的模数转化器ADC芯片样本组；对累积了不同电离辐射总剂量的ADC芯片样本组进行电磁辐射试验，以获取所述ADC芯片样本组中的每个ADC芯片样本出现电磁辐射协和效应的阈值数据；根据获取的所述阈值数据拟合ADC芯片的电离电磁辐射协和效应阈值随电离辐射总剂量的累积而产生的变化趋势。通过该实施例方案...
双极运算放大器LM158电离总剂量与重离子协同辐射效应研究
双极运算放大器 电离总剂量 单粒子瞬态 协同效应
2021/12/23
为研究双极运算放大器电离总剂量与单粒子瞬态的协同效应，选取双极运算放大器LM158分别在高剂量率0.1Gy·s-1（Si）和低剂量率1×10?4Gy·s-1（Si）条件下进行60Coγ射线辐照试验，累积电离总剂量至1000Gy（Si）后，再进行重离子类型为钽（Ta）离子的协同辐照试验。试验结果表明：电离总剂量会导致运算放大器LM158的单粒子瞬态脉冲幅值减小和脉冲展宽，同时，相比于高剂量率辐照条件...
存储器作为航天器电子系统不可或缺的一部分，在航天应用中需要有良好的抗辐射能力。阻变存储器（ResistiveRandomAccessMemory，RRAM）是一种新型的非易失性半导体存储器，性能优良，但对其辐射效应的研究较少。本文侧重于在理论分析的基础上，结合60Coγ射线辐照试验得到的结果对RRAM的总剂量效应失效机理进行分析研究。首先，通过对RRAM中单个MOS（Metal-Oxide-Sem...
静态随机存储器总剂量辐射及退火效应研究
静态随机存储器 总剂量效应 功耗电流 退火效应
2011/2/28
通过比较1 Mbit商用静态随机存储器（SRAM）在6种不同偏置条件下器件参数（静态和动态功耗电流）和功能参数（错误数）随辐射总剂量、退火时间的变化规律，研究了不同工作状态对辐射损伤的影响，以及不同偏置和温度（25 ℃和100 ℃）条件下的退火机制。结果表明：不同偏置对器件参数和功能退化及退火恢复有较大影响；静态和动态功耗电流为器件的敏感参数，在静态偏置条件下器件的辐射损伤最严重。
线性稳压器不同偏置下电离总剂量及剂量率效应
线性稳压器 电离辐射 剂量率效应 偏置
2010/8/20
为对工作在空间电离环境中稳压器的电离总剂量及剂量率效应进行研究，选择一种常用的低压差线性稳压器进行了不同偏置的高低剂量率的电离辐照和退火实验。结合电路特征和电离辐射效应，对线性稳压器产生蜕变的原因进行分析。结果显示，器件输出电压、线性调整率、负载调整率等关键参数在电离辐射环境下发生不同程度变化。在零偏条件下，低剂量率（LDR）下损伤明显大于高剂量率（HDR）条件，表现出低剂量率损伤增强效应；而在工...
星载DC-DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究
DC-DC电源转换器 辐射损伤效应 退火效应
2010/7/21
对低功率、双输出型DC-DC电源转换器60Co γ辐照后的总剂量辐射损伤及辐照后退火效应进行研究。探讨了器件在不同负载、不同输入电压条件下输入电流Iin、正路/负路输出电压Vout、正路输出电流Iout、抑制模式下的输入电流Iinhibit等参数随总剂量、退火时间的变化关系。实验结果表明：虽然同为小功率器件（DVHF2812DF与 DVTR2815DF），但抗总剂量辐射能力有所差异，这与以往结果...
EE80C196KC20单片机γ辐射总剂量效应
电离辐射 微处理器 功耗电流 电平漂移
2010/6/9
建立商用16位单片机EE80C196KC20辐射效应在线测试系统，利用60Co源在20 rad（Si）/s的剂量率条件下研究了电离辐射的失效模式和敏感参数。实验获得了单片机的失效阈值，得到了功耗电流、I/O输出、PWM输出随总剂量的变化规律，从工艺和电路结构分析了敏感参数变化的物理机理，对抗辐射加固设计有重要意义。
54HC系列CMOS器件脉冲与稳态γ总剂量效应异同性研究
54HC CMOS 脉冲总剂量损伤 效应损伤因子
2010/3/15
针对现有脉冲辐射模拟装置在模拟真实环境方面累积剂量偏小的特点，开展了54HC系列CMOS器件脉冲γ与60Co γ总剂量效应损伤异同性研究，获取器件效应损伤因子，以期通过对稳态辐射环境下电路总剂量损伤阈值的测量预估脉冲高剂量率环境下的总剂量损伤阈值。研究结果表明，无论选择哪种敏感参数进行效应损伤异同性研究，稳态辐照造成的总剂量损伤总是高于脉冲辐照，即稳态总剂量引起的器件阈值电压漂移、静态功耗电流增加...
国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究
总剂量辐照效应 退火 亚阈曲线
2009/12/9
对国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET 60Co γ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究。结果表明：随着工艺技术的发展，正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力，背栅由于埋氧层厚度和工艺生长原因而对总剂量辐照较为敏感；辐照引入的深能级界面态陷阱电荷的散射作用，导致了正栅源漏饱和电流的显著降低；退火过程中界面态陷阱电荷的饱和决定了正栅亚阈曲线的平衡位置，而隧穿或热发射的电子只能中和部分背栅氧化物陷阱电...
不同60Coγ剂量率下10位双极D/A转换器的总剂量效应
60Coγ 剂量率 双极数模转换器
2009/11/3
为探索电离辐射对数模混合电路的影响，对国产10位双极D/A转换器在60Coγ射线不同剂量率辐照下的电离辐射效应及退火特性进行研究。结果表明：D/A转换器对辐照剂量率十分敏感，在大剂量率辐照时，电路功能正常，各功能参数变化较小;在低剂量率辐照下，各参数变化显著，电路功能出现异常，表现出明显的低剂量率损伤增强效应。最后，结合空间电荷模型对其电离辐射损伤机理进行了初步探讨。
不同设计参数MOS器件的射线总剂量效应
MOS晶体管 辐射效应 总剂量
2009/1/16
采用非加固工艺，通过设计加固手段实现具有辐射容忍性能的器件，可使器件抗辐射加固成本大为降低。本工作研究商用标准0.6μm体硅CMOS工艺下不同设计参数的MOS晶体管的γ射线总剂量辐照特性。通过对MOS器件在不同偏置情况下的总剂量辐照实验，分别对比了不同宽长比（W/L）NMOS管和PMOS管的总剂量辐照特性。研究表明，总剂量辐照引起阈值电压的漂移量对NMOS及PMOS管的W/L均不敏感；总剂量辐照...
剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响
功率MOSFET器件 γ射线 剂量率 总剂量效应
2009/1/16
选取典型的星用功率MOSFET器件JANTXV2N6798和JANTXV2N7261为研究对象，就剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响进行试验研究。在试验中，选取钴-60γ射线，以不同剂量率进行辐照试验。通过试验研究，获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量率的变化特性。结果表明，低剂量率更易引起器件损伤。