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采用径迹蚀刻的方法研究了热处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）薄膜中重离子径迹的热退火效应。使用113.7 MeV的32S离子在PET薄膜中产生垂直于表面且贯穿薄膜的离子径迹。对薄膜进行局部热处理，加热温度为70～240 ℃，时间为1～300 s。薄膜经过化学蚀刻成核孔膜后使用显微镜观测。结果表明：在相同的热处理时间下，随着热处理温度的升高，PET薄膜中离子径迹的热退火效应愈加明显；在热处理温度不...
静态随机存储器总剂量辐射及退火效应研究
静态随机存储器 总剂量效应 功耗电流 退火效应
2011/2/28
通过比较1 Mbit商用静态随机存储器（SRAM）在6种不同偏置条件下器件参数（静态和动态功耗电流）和功能参数（错误数）随辐射总剂量、退火时间的变化规律，研究了不同工作状态对辐射损伤的影响，以及不同偏置和温度（25 ℃和100 ℃）条件下的退火机制。结果表明：不同偏置对器件参数和功能退化及退火恢复有较大影响；静态和动态功耗电流为器件的敏感参数，在静态偏置条件下器件的辐射损伤最严重。
国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究
总剂量辐照效应 退火 亚阈曲线
2009/12/9
对国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET 60Co γ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究。结果表明：随着工艺技术的发展，正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力，背栅由于埋氧层厚度和工艺生长原因而对总剂量辐照较为敏感；辐照引入的深能级界面态陷阱电荷的散射作用，导致了正栅源漏饱和电流的显著降低；退火过程中界面态陷阱电荷的饱和决定了正栅亚阈曲线的平衡位置，而隧穿或热发射的电子只能中和部分背栅氧化物陷阱电...