搜索结果: 1-15 共查到“核科学技术 器件”相关记录30条 . 查询时间(0.072 秒)
本发明涉及一种用于光电成像器件光谱响应辐射损伤的测试方法，该方法涉及装置是由卤素灯光源室、单色仪、投射镜头、矩形分划板、反射镜、平行光管、成像物镜、三维样品调整台和待测光电成像器件制成，本发明利用单色仪输出均匀的单色光，并经过投射物镜将放置在平行光管焦面位置的矩形分划板照亮，再经过反射镜改变光路方向后射入到平行光管，平行光管输出的准直单色光通过成像物镜将矩形分划板成像到光电成像器件的光敏面上，根据...
本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。
本发明涉及用于晶片级器件辐射效应试验的X射线辐照测试设备，该设备是由X射线辐照装置、显微成像装置、探针台、冷却与空气循环装置、辐射测量装置、控制与测试分系统、框架、水平导轨、高压程控电源、X射线控制器、UNIDOS剂量仪、控制计算机、半导体参数测试仪、示波器和矩阵开关组成，该设备实现晶片级器件的辐照与在线辐射效应参数提取及实时监测；并实现辐照测试的一体化、操作的自动化，可显著提高辐照与测试的稳定性...
本发明涉及用于元器件电离辐照的X射线辐照方法，该方法涉及辐照装置是由X光管、准直器、限束板、低能散射滤片、电动三维平台、辐照平台、激光指示器、水循环进出口组成，该方法实现了X射线能量、剂量率连续可调、辐照束斑连续可调，且可以去除低能散射对辐照结果的影响，为元器件电离辐照提供较理想的条件。该方法将为元器件电离总剂量辐射效应研究及试验评估提供方便快捷、低成本的电离辐照条件，对提升电子元器件抗辐射加固的...
开展了星用双极器件及模拟电路的低剂量辐射损伤效应、损伤机理、评估方法的研究
质子是空间辐射环境的主要成分，其引发微电子器件产生的单粒子效应（SEE）是造成航天器在轨故障乃至灾难性后果的主要因素之一。作为质子SEE机理研究的核心内容，质子SEE截面预测模型对于评估器件在空间中的抗辐射性能，进而保障航天器的可靠运行具有重要意义。近日，中国原子能科学研究院核物理研究所辐射效应研究团队开发出一种新的质子SEE截面预测模型，并通过实验证实了其可靠性。
辐射伏特效应核电池换能器件中的β粒子能量沉积行为
Geant4 63Ni β辐射伏特效应 能量沉积行为
2021/12/23
β粒子在换能材料中的能量沉积行为是β辐射伏特效应核电池仿真中的一项重要研究内容，通常使用蒙特卡罗软件Casino和MCNP（MonteCarloNParticleTransportCode）来实现。其中，Casino难以模拟连续能量β粒子在换能材料中的能量沉积过程，而MCNP作为一款商业软件，其使用不仅受到版权限制，而且不易扩展。因此，基于通用的开源蒙特卡罗程序框架Geant4（GEometryA...
基于位置敏感半导体光电器件的同步辐射光斑位置检测
光电位置传感器 光斑位置 同步辐射 二维探测
2020/12/15
同步辐射的光斑位置及强度的稳定性对实验尤为重要，光束稳定性的定量评测是目前光束线站实验中需要解决的一个关键问题。二维Pin-cushion型光电位置灵敏探测器（PositionSensitiveDetector，PSD）可同时检测两个方向的光斑位置变化和光斑尺寸，且便于安装和使用。对于5.9mm×2.0mm的矩形光斑开展实验研究，获得探测器中心位置水平和垂直方向的分辨率分别达到1.5μm和1.4μ...
四川省重大科技支撑项目“介质壁加速器功能材料和功率器件开发”，经过两年不懈努力，突破了该项目产品因超大超薄导致的易裂易碎以及性能指标、成品率低等世界性难题。该项目产品的成功研发，拓宽了微波介质陶瓷材料的应用领域，推动了我国高功率脉冲系统的研究与发展，为我国高功率脉冲系统固态化、小型化、轻便化开辟了一条新途径。目前，该项目已通过四川省科技厅组织的专家验收，为进一步开发“介质壁加速器加速单元”、“超大...
氮化镓（GaN）是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材料的良好抗辐射性能和环境稳定性，使得其在核探测领域具有很好的应用前景，在新型核电池领域也具有巨大的应用潜力。因为GaN辐生伏特效应核电池相比于常规的窄带半导体核电池而言，具有更高...
GaN核辐射探测器材料与器件研究进展
GaN 核探测器 金属有机化学气相淀积 氢化物气相外延
2010/6/30
文章介绍GaN材料作为核探测器的潜在优势和国内外的研究状况，并概要综述GaN材料外延的主要技术、特点及其最新发展。通过模拟计算，总结了使用GaN制备核探测器对材料的基本要求。同时，根据目前的研究现状，提出了在GaN材料生长和器件制作方面存在的主要技术问题及其解决方向。
54HC系列CMOS器件脉冲与稳态γ总剂量效应异同性研究
54HC CMOS 脉冲总剂量损伤 效应损伤因子
2010/3/15
针对现有脉冲辐射模拟装置在模拟真实环境方面累积剂量偏小的特点，开展了54HC系列CMOS器件脉冲γ与60Co γ总剂量效应损伤异同性研究，获取器件效应损伤因子，以期通过对稳态辐射环境下电路总剂量损伤阈值的测量预估脉冲高剂量率环境下的总剂量损伤阈值。研究结果表明，无论选择哪种敏感参数进行效应损伤异同性研究，稳态辐照造成的总剂量损伤总是高于脉冲辐照，即稳态总剂量引起的器件阈值电压漂移、静态功耗电流增加...
GaN核辐射探测器材料与器件研究进展
GaN 核探测器 金属有机化学气相淀积 氢化物气相外延
2009/6/26
文章介绍GaN材料作为核探测器的潜在优势和国内外的研究状况，并概要综述GaN材料外延的主要技术、特点及其最新发展。通过模拟计算，总结了使用GaN制备核探测器对材料的基本要求。同时，根据目前的研究现状，提出了在GaN材料生长和器件制作方面存在的主要技术问题及其解决方向。
电荷耦合器件的60Coγ射线辐照损伤退火效应
商用CCD 氧化物电荷 界面态 退火效应
2009/5/15
基于60Coγ射线辐照后的商用电荷耦合器件（CCD），对室温退火和100℃高温退火实验进行研究。考察了CCD的功耗电流、输出信号电压波形及光响应灵敏度等参数的变化。结果表明，CCD辐照过程中产生的氧化物电荷和界面态导致了CCD参数在室温和高温退火中的不同表现。
氚钛片辐照硅基半导体器件电学输出性能
氚钛片 辐射伏特效应同位素电池 电学输出性能
2009/5/11
制备了多个不同厚度金属钛膜吸附不同量3H的氚钛片，利用这些源片辐照硅基半导体器件，测试并分析了它们的电学输出性能。结果表明，这些氚钛片辐照硅基半导体器件可以输出电流，但由于金属钛对氚源β射线的阻挡，器件输出电流和最大输出功率与钛膜中贮氚量不呈正比增长关系，小的钛膜厚度有利于提高β射线能量利用率。