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中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 总剂量辐照 PMOSFET 负偏压温度 不稳定性影响
2024/1/5
2016年8月8日,北京大学物理学院副院长王宇钢教授来中国科学院新疆理化技术研究所进行学术交流。王宇钢作了题为“辐射物理及其应用”的学术报告,报告主要围绕辐射与固体材料的相互作用、辐射与生物医学、面向先进核能系统的材料研究等方面,详细介绍了辐射物理领域的研究现状、目前存在的问题和未来的发展方向,指出真实空间极低温环境下器件辐射损伤与地面辐射模拟实验对器件造成的辐射损伤不同。报告会后,王宇钢与该所固...